Рубрика:
I
0
I
cв
Рис. 3
Рост внешнего квантового выхода с током при малых значениях тока
обусловлен конкуренцией двух процессов рекомбинации – излучательной и бе-
зызлучательной (см. кривую 1 рис. 3).
Часть носителей тока, инжектированных в область
р-n перехода, идет на
насыщение центров безызлучательной рекомбинации.
При (см. рис. 3) все центры безызлучательной рекомбинации на-
сыщены (нейтрализованы) и все процессы рекомбинации идут с излучением
фотонов. Мощность излучения увеличивается с ростом тока (кривая
2, рис. 3),
так как число излучаемых фотонов растет пропорционально числу инжектиро-
ванных носителей тока.
0
II
св
>
4. Измеряемый объект
В данной работе в качестве источника используется полупроводниковый
излучатель на основе арсенида галлия (GaAs), имеющего ширину запрещенной
зоны 1,43 эВ. Максимальная длина волны GaAs-светодиода равна 0,87 мкм,
что соответствует ближней инфракрасной области спектра электромагнитного
излучения.
5. Экспериментальная установка в статике и динамике
На рис. 4 представлено схематическое изображение установки для изу-
чения зависимости внешнего квантового выхода и мощности излучения свето-
диода от тока.
42
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 40
- 41
- 42
- 43
- 44
- …
- следующая ›
- последняя »
