Рубрика:
Литература:
[1], § 245.
РАБОТА 90. ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ СВЕТА НА p-n ПЕРЕ-
ХОД
1. Цель работы
Целью работы является ознакомление с фотоэффектом в р-n переходе.
2. Краткая теория исследуемого явления
Фотоэлектрический эффект-процесс генерации электронно-дырочных
пар, возникающий при освещении области
р-n перехода.
Возникающие при этом в
n-области дырки и в р-области электроны яв-
ляются неосновными носителями тока, для которых поле контактной разности
потенциалов является ускоряющим. В результате эти электроны и дырки начи-
нают двигаться в противоположных направлениях и концентрироваться по обе
стороны
р-n перехода. Основные носители, для которых поле контактной раз-
ности потенциалов является тормозящим, остаются в объеме той области полу-
проводника, где они образовались.
Электрический ток неосновных носителей заряда, генерируемых падаю-
щим светом и прошедших через
р-n переход, и составляет полный фототок I
ф
.
3. Принцип метода измерения и рабочие формулы
Фототок I
ф
пропорционален числу носителей, генерируемых светом в
единицу времени, а значит и величине светового потока
Ф:
I
ф
= GФ, (1)
где
G - коэффициент пропорциональности.
Если цепь
р-n перехода разомкнута, то на его границах будут накапли-
ваться объемные заряды, препятствующие дальнейшему переходу неосновных
носителей. В результате возникает фото-ЭДС, поле которой направлено проти-
воположно полю контактной разности потенциалов, т.е. совпадает по направ-
лению с внешним полем прямого направления.
45
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
