Рубрика:
определен как разность между полным током I, измеренным в фотодиодном
режиме, и темновым током:
I
48
пере
х
од
n-p
ф
= I - I = GФ. (6)
т
Поскольку линейность между фототоком
I
ф
и световым потоком Ф сохраняется
в широком диапазоне изменения светового потока, фотодиодный режим ис-
пользуется для измерения потоков лучистой энергии.
Рабочим участком вольт-амперной характеристики фотодиода является
участок
АС.
4. Измеряемый объект
В данной работе используется кремниевый фотодиод ФД-27. Устройство
фотодиода схематически показано на рис. 2. На металлическую подложку
1,
служащую одним из электродов, наносится полупроводник
3 (например, n-
полупроводник). На этом слое располагается слой
р-полупроводника 4, кото-
рый и освещается потоком падающего света
5. Участок поверхности р-
полупроводника контактирует со вторым металлическим электродом
7. По-
верхность р-полупроводника покрывается защитным слоем
6, прозрачным для
падающего излучения. Поскольку свет должен проникать до области
р-n пере-
хода, то толщина
d слоя р-полупроводника делается малой, чтобы поглощением
света в нем можно было пренебречь. Обычно
d = (0,01 – 1) мкм. Все устройство
помещается в корпус
2.
2 3 d
4
- + hν
- +
- + 5
- +
n - +
- - +
- - +
- +
1
6
7
Рис. 2
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »
