Составители:
36
ление потенциала в диоде. Вместо линейного распределения (линия 1, рис. 3)
оно становится нелинейным (кривая
2, рис. 3), и скорости электронов умень-
шаются.
Однако с увеличением анодного напряжения концентрация электронов
в облаке пространственного заряда уменьшается. Поэтому и тормозящее дейст-
вие пространственного заряда делается меньше и анодный ток увеличивается.
Когда потенциал анода становится настолько большим, что все элек-
троны, испускаемые катодом за каждую единицу времени, попадают на анод,
ток достигает своего максимального значения и перестаёт зависеть от анодного
напряжения. Плотность тока насыщения
jB
s
B, т.е. сила тока насыщения на каждую
единицу поверхности катода, характеризует
эмиссионную способность катода,
которая зависит от природы катода и его температуры.
В. О температурной зависимости тока насыщения
Поскольку эмиссионная способность катода зависит от температуры, то
вольт-амперная характеристика диода будет также изменяться с изменением
температуры катода. На вольт-амперной характеристике кроме начального
участка 0-1-2-3, описываемого выражением (2), будут появляться участки, со-
ответствующие разным токам насыщения (1-4, 2-5, 3-6). С ростом температуры
будут возрастать токи насыщения
jB
s
B, а также будут увеличиваться значения
анодного напряжения
UB
s
B, при котором устанавливается ток насыщения.
3. Принцип метода измерений и рабочая формула
Зависимость плотности тока эмиссии от температуры поверхности ме-
талла описывается формулой Ричардсона - Дэшмана:
kT
e
S
eBTj
ϕ
−
=
2
, (3)
где
B – универсальная постоянная, равная B = 12,5*10P
5
P
А/мP
2
P
КP
2
P
для всех мате-
риалов.
Она получена из предположения, что электроны в кристалле подчиня-
ются квантовой статистике.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 34
- 35
- 36
- 37
- 38
- …
- следующая ›
- последняя »
