Составители:
41
РАБОТА 85. ИЗУЧЕНИЕ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ СВОЙСТВ p-n ПЕРЕХОДА
1. Цель работы
Данная работа знакомит с выпрямляющими свойствами (униполярной
проводимостью) p-n
перехода, представляющего собой основной элемент по-
лупроводниковых диодов и транзисторов.
2. Основные теоретические положения
На границе раздела полупроводников с разным типом проводимости
(электронной n и дырочной р) образуется p-n переход: двойной слой (область
объемного заряда ООЗ), характеризующийся высоким сопротивлением (рис.
1,а). Положительный заряд расположен в n-области и возникает при диффузии
электронов в р-область, а отрицательный – в р-области (в результате диффузии
дырок в
n-область). Этот переходный слой, состоящий из неподвижных иони-
зованных атомов кристалла, обладает высоким сопротивлением и способен
расширяться или сужаться в зависимости от полярности и величины приложен-
ного к p-n переходу напряжения, при этом сопротивление перехода соответст-
венно возрастает или уменьшается.
d
B
1
B= dB
2
B
а б
B
Рис. 1
++- -
n ++- - p
++- -
dB
1
B= dB
2
B
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »
