Составители:
57
Рост внешнего квантового выхода с током при малых значениях тока
обусловлен конкуренцией двух процессов рекомбинации – излучательной и бе-
зызлучательной (см. рис. 1).
Часть носителей тока, инжектированных в область
р-n перехода, идет на
насыщение центров безызлучательной рекомбинации.
При
0
II
св
> (см. рис. 3) все центры безызлучательной рекомбинации на-
сыщены (нейтрализованы) и все процессы рекомбинации идут с излучением
фотонов. Мощность излучения увеличивается с ростом тока (кривая
2, рис. 3),
так как число излучаемых фотонов растет пропорционально числу инжектиро-
ванных носителей тока.
4. Измеряемый объект
В данной работе в качестве источника используется полупроводниковый
излучатель на основе арсенида галлия (GaAs), имеющего ширину запрещенной
зоны 1,43 эВ. Максимальная длина волны GaAs-светодиода равна 0,87 мкм,
что соответствует ближней инфракрасной области спектра электромагнитного
излучения.
5. Экспериментальная установка в статике и динамике
На рис. 4 представлено схематическое изображение установки для изу-
чения зависимости внешнего квантового выхода и мощности излучения свето-
диода от тока.
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
ИП
СД
А1
А2
ФД
Рис. 4
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 55
- 56
- 57
- 58
- 59
- …
- следующая ›
- последняя »
