Сборник лабораторных работ, выполняемых с использованием программы Electronics Workbench 5.0 (Ч. 1). Коноплев Б.Г - 19 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

2.1.2. Измерение емкости p-n-перехода

Измерение производится так же, как и измерение емкости коллектор-

но-базового перехода Ск биполярного транзистора (см. пункт 1.1.4). В схе-

му рис. 8 вместо коллекторно-базового перехода включается диод. Катод

диода подключается к резистору Rк, а анод – к источнику сигнала U1.

Снимается зависимость барьерной емкости диода от величины обратного

смещения (от 1 до 50 В).

2.1.3. Измерение обратного тока

Измерительная схема приведена на рис. 23.

Uпост=(1-50) В

PА

Рис. 23

Диод смещается в обратном направлении и амперметром измеряется

обратный ток диода. Измерения обратного тока производятся в диапазоне

напряжений от 1 В до предпробойного состояния.

2.1.4. Измерение напряжения пробоя

Напряжение пробоя (для стабилитронов – напряжение стабилизации)

определяется для конкретного значения тока пробоя. Измерения

производятся по схеме рис. 24.

Uпост

PА

Рис. 24