Теплотехника. Кордон М.Я - 156 стр.

             1
                 V
                     RA                  RB



 2          МП МП          3     МП МП              4


                 1H 1H 1H 1H
                 NaCl NaCl NaCl NaCl




     Рис. 2.35. Электрическое сопротивление
                 ионных мембран
 1 – вольтметр, 2 – катод; 3 – ионная мембрана; 4 – анод;
 RA = 1000–10000 Ом; RB = 50000–100000 Ом; МП –
 мембраны из пергаментной бумаги


     Примерно через 1 минуту измеряют падение потенциала на электродах.
Опыт повторяют после извлечения мембраны.
     Падение потенциала представляет собой разность между этими двумя
перепадами потенциалов.
     Искомое электрическое сопротивление определяют как частное от деления
разности потенциалов на силу тока.
     В качестве единицы удельного сопротивления мембраны принят Ом⋅м2.
Это означает, что сопротивление мембраны равно ее удельному
сопротивлению, деленному на площадь поперечного сечения в направлении,
перпендикулярном плотности электрического тока. Например, электрическое
сопротивление мембраны площадью 0,46 м2, имеющей удельное сопротивление
9,2⋅10-4 Ом⋅м2, составляет 0,002 Ом.
     Избирательность. Мембрана, способная пропускать ионы одного заряда,
называется идеальной ионной мембраной. Это свойство обусловлено эффектом
равновесия между ионными группами, фиксированными в мембране, и ионами,
находящимися в растворе.
     Избирательность условно можно охарактеризовать числом переноса
ионов, для которых мембрана считается непроницаемой. Число переносов
равно доле этих ионов от общего количества ионов (положительных и
отрицательных), проходящих через мембрану. Например, идеальная мембрана
из сульфированного полистирола должна быть непроницаемой для