Основы радиоэлектроники. Решение задач. Коробова А.Д - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

10
Рис. 1.4 Рис . 1.5
1.9. Барьерная емкость полупроводникового диода с резким p-n-
переходом составляет 25 пФ при обратном напряжении 5 В. Определить
уменьшение емкости при снижении обратного напряжения до 7 В.
Ответ: 4 пФ.
1.10. Рассчитать простейшую схему без фильтра (рис . 1.6) для
выпрямления синусоидального напряжения с действующим значением 700 В,
используя диоды Д 226Б с U
ОБР MAX
=300 В.
Ответ: n=5, R
Ш
=333 кОм .
1.11. Сплавной диод работает в простейшей схеме выпрямления с
резистором нагрузки 10 кОм . Диод имеет следующие параметры :
R
ПР
=40 Ом , R
ОБР
=400 кОм , C=80 пФ. Найти , на какой частоте выпрямленный
ток за счет влияния емкости диода уменьшается в 2 раза.
Ответ: 115 кГц.
1.12. Изобразите график зависимости дифференциального сопротивления
туннельного диода 1И104А от подводимого напряжения. Укажите области
характеристики, в которых диод можно использовать в качестве усилителя и
генератора колебаний. Определите вид суммарных ВАХ диодов при
последовательном и параллельном включении.
R
Ш
R
Ш
R
Ш
…
Д
1
Д
2
Д
n
R
Н
Рис. 1.6
С, пФ
100
50
U
ОБР
, В 40 30 20 10 0
С
~3В
+
20В
-
10 кОм
С
~3В
+
20В
-
10 кОм
                                                 10




                                                                                        С, пФ


                 10 кО м            С                                                        100
          ~3В

          +                                                                                  50
          20В
          -

                                                           UО    ,В
                                                                БР     40 30       20   10      0



              Р ис . 1.4                                              Р ис . 1.5

         1.9. Б арье рная е мкос ть п олуп роводникового диода с ре зким p-n-
п е ре х одом с ос тавляе т 25 п Ф п ри об ратном нап ряже нии 5 В. Оп ре де лить
уме ньш е ние е мкос ти п ри с ниже нии об ратного нап ряже ния до 7 В.
Отве т: 4 п Ф .
        1.10. Рас с ч итать п рос те йш ую с х е му б е з фильтра    (рис . 1.6) для
вы п рямле ния с инус оидального нап ряже ния с де йс твующ им знач е ние м 700 В,
ис п ользуя диоды Д 226Б с UОБ Р MAX=300 В.
Отве т: n=5, RШ =333 кОм.
                           RШ            RШ                             RШ

                                                       …
                            Д   1        Д   2                           Д   n


                                    RН
                                                  Рис . 1.6


      1.11. С п лавной диод раб отае т в п рос те йш е й с х е ме вы п рямле ния с
ре зис тором нагрузки 10 кОм. Д иод име е т с ле дующ ие п араме тры :
RПР =40 Ом, RОБ Р =400 кОм, C=80 п Ф . Н айти, на какой ч ас тоте вы п рямле нны й
ток за с ч е т влияния е мкос ти диода уме ньш ае тс я в 2 раза.
Отве т: 115 кГ ц.
      1.12. Изоб разите график завис имос ти диффе ре нциального с оп ротивле ния
тунне льног о диода 1И104А от п одводимого нап ряже ния. У кажите об лас ти
х аракте рис тики, в которы х диод можно ис п ользовать в кач е с тве ус илите ля и
ге не ратора коле б аний. Оп ре де лите вид с уммарны х ВА Х диодов п ри
п ос ле довате льном и п аралле льном включ е нии.

Страницы