Основы радиоэлектроники. Решение задач. Коробова А.Д - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

13
4. Рассчитаем U
КБ
:
U
КБ
= E
K
- R
Н
E
Э
/ R
Э
= 10В .
2.3. В схеме рис .2.3 используется транзистор с коэффициентом передачи
тока базы β= 50 и обратным током коллекторного перехода I
КБ0
= 10 мкА .
Известно, что R
Б
= 10 кОм , E
Э
= 1 B, R
Н
=5 кОм , E
K
= 20 В. Определить
напряжение коллектор-эмиттер при разомкнутом и замкнутом ключе, считая,
что коэффициент β неизменен.
Решение
а) При разомкнутом ключе I
Б
= 0, и U
КЭ
= E
K
- I
К
R
Н
,
где I
К
=β I
Б
+ I
кб0
(β + 1) = 0,51 мА.
Таким образом,
U
КЭ
= E
K
- I
КБ0
(β + 1) R
Н
= 17,5 В .
б ) При замкнутом ключе, пренебрегая U
ЭБ
, получим
I
Б
~ E
Э
/ R
Б
= 100 мкА .
Предположим, что сохраняется активный режим. Тогда
I
К
=β I
Б
+ I
КБ0
(β + 1) = 5.51 мА
и U
КЭ
= E
K
- I
К
R
Н
= -7,5 В .
Это означает, что транзистор работает в режиме насыщения. Но в режиме
насыщения, то есть, при замкнутом ключе
I
К
= I
К МАХ
= E
K
/ R
Н
= 4 мА, U
КЭ
~ 0.
Рис . 2.3 Рис . 2.4
2.4. Транзистор используется в схеме рис .2.4. Данные схемы :
E
K
= -28 В, R
Б
= 15 кОм , R
Э
= I кОм, R
Н
= 2 кОм . Определить, при каком
минимальном входном напряжении транзистор будет работать в режиме
насыщения. Принять, что на границе режима насыщения β = 9.
Решение
1. Для входного напряжения в режиме насыщения справедлива формула
U
ВХ
= I
Б
R
Б
– I
Э
R
Э
.
2. Воспользуемся формулами для связи токов транзистора
I
Э
= (β + 1), I
К
~ βI
Б
.
Тогда U
ВХ
= I
Б
[R
Б
+ R
Э
(β + 1)].
I
Э
R
Б
Е
К
R
Н
I
Б
I
К
R
Э
U
ВХ
Е
Э
U
КЭ
R
Б
Е
К
R
Н
I
Б
I
К
                                             13

4. Р ас с ч итае м UК Б :
UК Б = EK - RН EЭ/ RЭ = 10В .

      2.3. В с х е ме рис .2.3 ис п ользуе тс я транзис тор с коэффицие нтом п е ре дач и
тока б азы β= 50 и об ратны м током колле кторного п е ре х ода IК Б 0 = 10 мкА .
Изве с тно, ч то RБ = 10 кОм, EЭ = 1 B, RН =5 кОм, EK = 20 В. Оп ре де лить
нап ряже ние колле ктор-эмитте р п ри разомкнутом и замкнутом ключ е , с ч итая,
ч то коэффицие нт β не изме не н.
                                          Ре ш е ние
а) При разомкнутом ключ е IБ = 0, и UК Э = EK - IК RН ,
где IК =β IБ + Iкб0(β + 1) = 0,51 м А .
Таким об разом,
UК Э = EK - IК Б 0(β + 1) RН = 17,5 В .
б ) При замкнутом ключ е , п ре не б ре гая UЭБ , п олуч им
IБ ~ EЭ / RБ = 100 м кА .
 Пре дп оложим, ч то с ох раняе тс я активны й ре жим. Тог да
IК =β IБ + IК Б 0 (β + 1) = 5.51 м А
и     UК Э = EK - IК RН = -7,5 В .
Э то означ ае т, ч то транзис тор раб отает в ре жиме нас ы щ е ния. Н о в ре жиме
нас ы щ е ния, то е с ть, п ри замкнутом ключ е
IК = IК М А Х = EK / RН = 4 м А , UК Э ~ 0.

                                   Е   К                                         Е   К

                        IК                                            IК         RН
                                   RН
                  RБ                                            RБ
                                                  UВ Х

 Е                                         UК Э                  IБ             RЭ
     Э          IБ
                                                                       IЭ

                       Рис . 2.3                                  Рис . 2.4

       2.4. Транзис тор ис п ользуе тс я в с х е ме рис .2.4. Д анны е с х е мы :
EK = -28 В, RБ = 15 кОм, RЭ = I кОм,                RН = 2 кОм. Оп ре де лить, п ри каком
минимальном вх одном нап ряже нии транзис тор б уде т раб отать в ре жиме
нас ы щ е ния. Принять, ч то на границе ре жима нас ыщ е ния β = 9.
                                         Ре ш е ние
1. Д ля вх одного нап ряже ния в ре жиме нас ыщ е ния с п раве длива формула
UВ Х = IБ RБ – IЭ RЭ.
2. Вос п ользуе мс я формулами для с вязи токов транзис тора
IЭ = (β + 1), IК ~ βIБ .
Тог да UВ Х = IБ [RБ + RЭ(β + 1)].

Страницы