Основы радиоэлектроники. Решение задач. Коробова А.Д - 18 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

18
Рис . 2.11
2.5. Найти h-параметры транзистора по его характеристикам (рис .2.12),
соответствующим схеме с общим эмиттером для E
КЭ
= 3,5 В, I
Б
=150 мкА .
Ответ: h
11
= 330 Ом , h
12
=16 10
-3
, h
21
= 56, h
22
= 62,5 10
-6
См.
2.6. По заданным вольт-амперным характеристикам (табл.2.1,2.2)
определить h-параметры транзистора, включенного в схему с ОЭ , в рабочей
точке при E
К
=- 9 В, R
Н
= 1 кОм , I
Б
= 60 мкА .
Ответ: h
11
= 727,8 Ом , h
12
=6,6 10
-3
, h
21
= 62,5, h
22
= 9,9 10
-5
См.
2.7. На рис.2.13 приведена схема усилительного каскада с ОЭ на
транзисторе с характеристиками , изображенными на рис . 2.12. Рассчитать
сопротивление резистора R
Б
, при котором рабочая точка в режиме покоя
усилителя будет находиться на середине линейных участков входной и
переходной характеристик, если E
К
= 10 В, R
Н
=1 кОм. Определить
коэффициент усиления по напряжению, по току, по мощности, входное и
выходное сопротивления.
Ответ: R
Б
=64.5 кОм , K
U
= 170, K
I
= 52,5, R
ВХ
= 330 Ом, R
ВЫХ
= 1 кОм.
I
Б
, мкА I
К
, мА
I
Б
= 250 мкА
300 12
200
250 10
200 U
К
=0 5В 8
150
150 6
100
100 4
50
50 2
0
0 80 160 240 320 U
БЭ
, мВ 0 2 4 6 8 10 U
КЭ
, В
Рис . 2.12
Е
К
R
Н
U
ВХ
R
Э
Е
Б
I
К
U
ВЫХ
I
Э 
                                                    18



                                   RЭ                    IК

                UВ Х
                                   IЭ                                 RН       UВ ЫХ
               Е   Б                                                   Е   К


                                             Р ис . 2.11

     2.5. Н айти h-п араме тры транзис тора п о е го х аракте рис тикам (рис .2.12),
с оотве тс твующ им с х е ме с об щ им эмитте ром для EК Э = 3,5 В, IБ =150 мкА .
Отве т: h11 = 330 Ом, h12 =16 10-3 , h21= 56, h22= 62,5 10-6 С м.
 IБ , м кА                                                     IК , м А

                                                                                           I Б = 250 м кА
 300                                                          12
                                                                                                   200
 250                                                          10

 200                 UК =0         5В                         8
                                                                                                   150
 150                                                          6
                                                                                                   100
 100                                                          4
                                                                                                       50
 50                                                           2
                                                                                                       0

      0   80   160     240   320        UБ Э, м В                 0    2        4      6    8     10    UК Э, В
                                                Рис . 2.12

      2.6. По заданны м вольт-амп е рны м х аракте рис тикам (таб л.2.1,2.2)
оп ре де лить h-п араме тры транзис тора, включ е нного в с х е му с ОЭ , в раб оч е й
точ ке п ри EК =- 9 В, RН = 1 кОм, IБ = 60 мкА .
Отве т: h11 = 727,8 Ом, h12 =6,6 10-3, h21 = 62,5, h22= 9,9 10-5 С м.
       2.7. Н а рис .2.13 п риве де на с х е ма ус илите льного кас када с ОЭ на
транзис торе с х аракте рис тиками, изоб раже нны ми на рис . 2.12. Рас с ч итать
с оп ротивле ние ре зис тора RБ , п ри котором раб оч ая точ ка в ре жиме п окоя
ус илите ля б уде т нах одитьс я на с е ре дине лине йны х уч ас тков вх одной и
п е ре х одной х аракте рис тик, е с ли EК = 10 В, RН =1 кОм. Оп ре де лить
коэффицие нт ус иле ния п о нап ряже нию, п о току, п о мощ нос ти, вх одное         и
вы х одное с оп ротивле ния.
Отве т: RБ =64.5 кОм, KU = 170, KI = 52,5, RВХ = 330 Ом, RВЫ Х = 1 кОм.

Страницы