Материалы электроники и электротехники. Королёв А.П - 15 стр.

UptoLike

Подобное смещение претерпевают все энергетические уровни проводников 1 и 2, в том числе и уровни Ферми Э
F1
и Э
F2
.
Как только непрерывно понижающийся уровень Ферми проводника 1 (Э
F1
) и непрерывно повышающийся уровень
Ферми проводника 2 (Э
F2
) оказываются на одной высоте, причина, вызывавшая преимущественное перетекание электронов
из проводника 1 в проводник 2, исчезает, так как против заполненных уровней проводника 1 располагаются теперь
заполненные с той же степенью заселённости уровни проводника 2. Между проводниками устанавливается равновесие,
которому отвечает равновесная разность потенциалов между ними, равная
()
12К
1
χχ=
q
V
.
Её называют контактной разностью потенциалов, определяемой разностью работ выхода электронов из
контактирующих проводников. По абсолютному значению V
К
колеблется от десятых долей до единиц вольт. Из рисунка 2.3,
б следует, что контактная разность потенциалов создаёт для электронов, переходящих в проводник с большей работой
выхода, потенциальный барьер высотой qV
К
.
2.9. ТЕРМОЭЛЕКТРОДВИЖУЩАЯ СИЛА
В 1823 г. Т. Зеебек установил, что в цепи, состоящей из двух разнородных проводников 1 и 2, возникает
электродвижущая сила V
T
, если контакты этих проводников A и B поддерживаются при различных температурах Т
г
и Т
х
(рис.
2.4). Эта ЭДС называется термоэлектродвижущей силой.
Рис. 2.4. Термоэлектродвижущая сила в цепи
из двух разнородных проводников
Как показывает эксперимент, в относительно нешироком диапазоне температур она пропорциональна разности
температур контактов А и В:
(
)
хг
ТТV
T
α
=
.
Коэффициент пропорциональности
dTdV
T
/
=
α
называют дифференциальной или удельной термоэдс. Он зависит от природы соприкасающихся проводников и от
температуры.
Существует два основных источника возникновения термоэдс: изменение контактной разности потенциалов с
температурой (контактная составляющая V
к
) и образование направленного потока носителей в проводнике при наличии
градиента температуры (объёмная составляющая V
об
).
1
2
Т
г
Т
х
А В
+
+
+
I
I