Поведение материалов в электрическом поле. Королёв А.П - 39 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

39
мому тепловому разрушению образца или какого-либо его участка. Харак-
тер такого пробоя связан с экспоненциальным ростом в полупроводнике
концентрации свободных носителей заряда при увеличении температуры:
локальный разогрев участка полупроводника сопровождается увеличени-
ем концентрации носителей заряда и локальной плотности тока, что ведёт
к дальнейшему повышению температуры этого участка и т.д.
Удельная электропроводность полупроводника сильно зависит от
концентрации носителей заряда и выражается зависимостью
(
)
pn
pnq µ+µ=σ
,
где n и p – концентрации электронов и дырок, соответственно; µ
n
и µ
p
–
подвижности электронов и дырок, соответственно.
Концентрация носителей заряда положительно зависит от температу-
ры. Следовательно, и удельная электропроводность полупроводника зави-
сит от температуры. Температурная зависимость удельной электропровод-
ности схематично легированного полупроводника (не в масштабе) показа-
на на рис. 3.2.
Участок I графика соответствует термогенерации неосновных носи-
телей заряда от примесных атомов, так как они ионизируются при мень-
ших температурах, чем собственные атомы. На участке II все примесные
атомы ионизированы, а ионизация собственных атомов ещё не началась,
поэтому нет роста электропроводности. На участке III происходит иони-
зация собственных атомов полупроводника и рост концентрации основ-
ных носителей заряда, что приводит к дальнейшему росту удельной элек-
тропроводности.
Рис. 3.2. Температурная зависимость удельной электропроводности
легированного полупроводника:
I – участок примесной проводимости; II – отсутствия термогенерации;
III – примесной и собственной проводимости

Страницы