Основы САПР пищевых производств. Коротков В.Г - 95 стр.

формации в ячейке определяется наличием или отсутствием заряда на мини-
атюрном конденсаторе (управляемом 1 -2 транзисторами). В статической па-
мяти применены специальные элементы - триггеры (имеющие два устойчивых
состояния), реализованные на 4-6 транзисторах. Естественно, что из-за
необходимости ожидания накопления (стекания) заряда на конденсаторе бы-
стродействие DRAM ниже. Однако благодаря большему числу транзисторов на
ячейку память SRAM существенно дороже. Обычно модули DRAM применяют
в оперативной и видеопамяти модули SRAM - в качестве быстрых буферных
(Cash) элементов в процессорах, на материнских платах, в жестких дисках,
приводах CD-ROM и прочих устройствах [3,9].
      SDRAM - (Synchronous Dynamic Random Access Memory) синхронная
оперативная память, которая, будучи в целом похожей на память предыдущего
поколения (асинхронный DRAM), имеет одно важное преимущество -
встроенный таймер ввода данных позволяет четко синхронизировать подачу
информации с тактами процессора, благодаря чему уменьшается время,
непродуктивно затрачиваемое процессором на ожидание данных, которые
нужно обработать. Есть и другие архитектурные особенности, благодаря
которым стала возможной работа этого вида памяти на частоте 100 МГц и даже
выше. Впрочем, предел уже виден - современные процессоры переходят на
более быстрые шины, и для оптимальной работы с ними придется использовать
другие виды памяти. Но до того момента, когда этот вид памяти окончательно
устареет морально [3,9].
      RDRAM - (Rambus DRAM) реализует иной подход к увеличению про-
изводительности памяти. Если в SDRAM увеличивается количество
информации, передаваемой за один такт (64 бита, частота до 133 МГц), то
RDRAM использует более высокие частоты (до 800 МГц, 16 бит). Такая
высокая частота освобождает систему от временных задержек - процессор не
ждет данных почти никогда, наоборот, данные ждут его. Скорость прокачки
данных - до 6 Гбайт в секунду [3,9].
      РС-100 - это стандарт производства оперативной памяти SDRAM,
которая гарантированно работает при частоте системной шины 100 МГц. Стан-
дарт регламентирует длины проводников на печатной плате, ширину и зазоры
между проводниками, разделение проводников по слоям, сопротивление
сигнальных линий, обязательное наличие модуля SPD, максимальное время
доступа 10 нс (лучше 8 нс), маркировку модуля DIMM и многое другое [3,9].
      PC-133 - то же самое, что РС-100, с еще более жесткими требованиями по
производительности, например, максимальное время доступа 7,5 нс,
оптимальное - 6 нс [3,9].
      Физически память упакована в модули DIMM (Dual Inline Memory
Module), выполненные в виде узкой и длинной платы со 168 контактами на
торце, на которую напаяны одинаковые микросхемы. Эти чипы и являются
собственно памятью SDRAM, наиболее распространенным сегодня типом
памяти [3].
      Для процессора Pentium 4 и материнской платы на чипсете i820
устанавливаются модули памяти RIMM-RDRAM (RambusDRAM) [3].
                                                                          95