ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Показания
вольтметра,
0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
Температура
образца,
C
0
Емкость
сегнетонето-
конденсатора,
Диэлектр. прон-ть
сегнетоэлектрика
и представить графически зависимость диэлектрической проницаемости титаната бария от
температуры
)(
t
εε
=
.
При измерениях емкости сегнетоконденсатора на него подается напряжения около
V
2
, что создает напряженность электрического поля в образце порядка
мV
/10
3
.
Величина этого поля значительно меньше напряженности, при которой появляются петли
гистерезиса, и которая была найдена в упражнении 1. Поэтому можно считать, что при
снятии температурной зависимости
)(
t
ε
напряженность электрического поля не
оказывает существенного влияния на поведение диэлектрической проницаемости
сегнетоэлектрика.
Контрольные вопросы
1. Какие вещества относят к сегнетоэлектрикам? Какими свойствами обладает
сегнетоэлектрики? Что такое домены?
2. Какими параметрами характеризуется поведение диэлектриков в электрическом
поле?
3. В чем заключается поляризация диэлектриков? Какие типы поляризации имеют
место в диэлектриках?
4. Как изменяется диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков при их
нагревании?
5. В чем сущность гистерезиса в сегнетоэлектриках?
6. Как описываются потери энергии в диэлектриках?
7. Почему температурные зависимости диэлектрической проницаемости титаната
бария, снятые при нагреве и охлаждении, могут различаться?
8. Нарисовать схему установки для исследования температурной зависимости
диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков.
9. Каким образом изменяется и как измеряется температура образца?
10. Как используется осциллограф для наблюдения гистерезиса в титанате бария?
11. Каким образом по площади петли гистерезиса рассчитывается
δ
tg
?
Литература
1. Калашников С.Г. Электричество. М. 2004.
2. Матвеев А.Н. Электричество и магнетизм. М. 2005.
9
9
Показания 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,0
вольтметра,
Температура
образца, 0 C
Емкость
сегнетонето-
конденсатора,
Диэлектр. прон-ть
сегнетоэлектрика
и представить графически зависимость диэлектрической проницаемости титаната бария от
температуры ε = ε (t ) .
При измерениях емкости сегнетоконденсатора на него подается напряжения около
2V , что создает напряженность электрического поля в образце порядка 10 3 V / м .
Величина этого поля значительно меньше напряженности, при которой появляются петли
гистерезиса, и которая была найдена в упражнении 1. Поэтому можно считать, что при
снятии температурной зависимости ε (t ) напряженность электрического поля не
оказывает существенного влияния на поведение диэлектрической проницаемости
сегнетоэлектрика.
Контрольные вопросы
1. Какие вещества относят к сегнетоэлектрикам? Какими свойствами обладает
сегнетоэлектрики? Что такое домены?
2. Какими параметрами характеризуется поведение диэлектриков в электрическом
поле?
3. В чем заключается поляризация диэлектриков? Какие типы поляризации имеют
место в диэлектриках?
4. Как изменяется диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков при их
нагревании?
5. В чем сущность гистерезиса в сегнетоэлектриках?
6. Как описываются потери энергии в диэлектриках?
7. Почему температурные зависимости диэлектрической проницаемости титаната
бария, снятые при нагреве и охлаждении, могут различаться?
8. Нарисовать схему установки для исследования температурной зависимости
диэлектрической проницаемости сегнетоэлектриков.
9. Каким образом изменяется и как измеряется температура образца?
10. Как используется осциллограф для наблюдения гистерезиса в титанате бария?
11. Каким образом по площади петли гистерезиса рассчитывается tgδ ?
Литература
1. Калашников С.Г. Электричество. М. 2004.
2. Матвеев А.Н. Электричество и магнетизм. М. 2005.
