Дипломное проектирование. Крюков А.Т - 56 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ им. Невельского | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

56
Полевой транзистор с изолирован-
ным затвором, обедненного типа с p
- каналом
1,5
c
Полевой транзистор с внутренним
соединением истока и подложки,
обогащенного типа с n - каналом
Полевой транзистор с двумя изоли-
рованными затворами, обедненного
типа с n - каналом, с выводом от
подложки
1
Волновод прямоугольный
3
6
Волновод круглый
Неоднородность
60°
12
Резонатор
Ø10
Устройство СВЧ
10-12
Полевой транзистор с изолирован-




                                     1,5
ным затвором, обедненного типа с p




                                                      c
- каналом



Полевой транзистор с внутренним
соединением истока и подложки,
обогащенного типа с n - каналом

Полевой транзистор с двумя изоли-                1
рованными затворами, обедненного
типа с n - каналом, с выводом от
подложки



Волновод прямоугольный                           3



                                                             6
Волновод круглый

                                                             60°

Неоднородность
                                                 12




Резонатор
                                           Ø10

                                                     10-12




Устройство СВЧ




56

Страницы