Электронные ключи. Кудрявцев И.А - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГАУ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

14
ВЫКЛ
СИ
ЗС
ЗИ
ЗИ
t
dt
dU
С
С
U
+
=
1
1
.
Следует также иметь в виду, что величина
0
U снижается с ростом температуры.
Во-вторых, технология изготовле-
ния МДП транзисторов приводит к фор-
мированию паразитного биполярного
транзистора (рис. 9). В результате дейст-
вия механизма, аналогичного вышеопи-
санному, возможно спонтанное отпира-
ние этого паразитного транзистора и пе-
реход в режим пробоя.
Для исключения этих эффектов
следует точно соблюдать рекомендации
изготовителя и
стремиться к тому, чтобы источник управляющего сигнала в
цепи затвора имел минимальное внутреннее сопротивление.
При необходимости увеличения ком-
мутируемой мощности возможно парал-
лельное включение полевых транзисторов
(рис.10). При этом необходимо использовать
транзисторы с близкими значениями поро-
говых напряжений и устанавливать в цепи
затвора сопротивления, призванные умень-
шить взаимное влияние транзисторов
друг
на друга при выключении («звон»).
1.4 Цифровые ключи на IGBT транзисторах
Преимущества, обеспечиваемые работой активных элементов в ключевом
режиме, прежде всего экономичность, привели к широкому распространению
мощных ключевых устройств. Широко известны импульсные источники пита-
ния, ключевые стабилизаторы и регуляторы, генераторы, работающие в ключе-
вом режиме, а также широкий спектр
устройств, использующих различные ви-
ды импульсной модуляции: ШИМ, АИМ и т.д. При проектировании таких уст-
ройств необходимо учитывать некоторые специфические особенности их рабо-
ты.
Уровень современного развития отечественной и зарубежной элементной
базы ставит перед разработчиком вопрос выбора подходящего активного эле-
мента. Современный инженер может выбирать из трех основных видов транзи
-
сторов: биполярные, полевые и так называемые IGBT – транзисторы (Insulated
Gate Bipolar Transistor), представляющие собой комбинацию двух предыдущих
типов: по входу такой транзистор ведет себя как полевой, а по выходу – как би-
полярный. В отечественной литературе эти приборы именуются биполярными
транзисторами с изолированным затвором (БТИЗ). Типичные представители
Рисунок 10 - Схема параллельного
включения ПТ
Рисунок 9 - Паразитные структуры
в МДП-транзисторе

Страницы