ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
134
Упростим
выражение
в
первой
паре
круглых
скобок
(2.4.10).
В
первом
слагаемом
выделим
параметры
транзистора
V
1
в
соответствии
с
САФ
в
п
.8
табл
.2.4.1.
В
этой
формуле
,
как
отмечалось
выше
,
ненулевыми
являются
три
слагаемые
:
второе
,
третье
и
шестое
.
Во
втором
слагаемом
из
первой
пары
скобок
(2.4.10)
используем
формулу
для
определителя
схемы
,
разделимой
по
двум
узлам
a
и
b.
Для
преобразования
САВ
в
квадратных
скобках
применим
формулу
выделения
проводимости
Y
4
и
выражение
для
определителя
схемы
,
разделимой
по
одному
узлу
a,
а
также
определители
элементарных
схем
транзистора
из
п
.1, 2, 5, 8, 9
табл
. 2.4.2.
В
результате
получаем
В
(2.4.11)
удалим
проводимость
Y
5
,
параллельную
ПНУИ
,
используем
формулу
для
определителя
схемы
,
разделимой
по
одному
узлу
,
а
также
запишем
определители
элементарных
схем
биполярного
транзистора
из
п
.1, 2, 6, 10
табл
. 2.4.2.
Окончательное
выражение
знаменателя
Полученные
формулы
для
числителя
(2.4.7)
и
знаменателя
(2.4.12)
эквивалентны
соответствующим
выражениям
[2].
Причём
число
операций
умножения
и
сложения
в
(2.4.7)
и
числителе
,
приведенном
в
[2],
одно
и
тоже
.
Знаменатель
(2.4.12)
содержит
11
операций
умножения
и
9
сложения
,
а
знаменатель
,
сформированный
с
помощью
метода
обобщенных
сигнальных
графов
[2],
имеет
18
умножений
и
10
сложений
.
Таким
образом
,
полученная
здесь
ССФ
является
более
компактной
и
экономичной
по
числу
алгебраических
операций
.
Предлагаемый
метод
является
более
эффективным
и
по
сравнению
с
другими
известными
методами
,
например
методом
графа
входов
[77],
который
предусматривает
трудоемкое
перечисление
всех
деревьев
пары
графов
для
последующего
их
попарного
сравнения
.
Это
приводит
к
формированию
развернутых
выражений
определителей
.
Метод
выделения
(2.4.11)
(2.4.12)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 132
- 133
- 134
- 135
- 136
- …
- следующая ›
- последняя »
