ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
ЭСВТ ЭЛТИ
50
из сжатых газов или
изо ектри-
лов
удельным по-
вер
неоднородности поля приводит к значи-
тел
(рис. 1, в) характерна для конструкций опорных изоляторов. В данном
случае тангенциальная составляющая напряженности поля, направлен-
ная вдоль поверхности диэлектрика, преобладает над нормальной со-
ставляющей практически на всей поверхности.
Расположение диэлектрика в поле коаксиальных цилиндров
(рис.1,
г) встречается в конструкциях газоизолированных линий и не-
которых коаксиальных устройств с изоляцией
ляционных жидкостей, в которых изоляторы из твердых диэл
ков выполняют роль механических опор. Соотношение между
Е
N
и Е
τ
в коаксиальном поле определяется формой центрирующего изолятора.
Многочисленные опытные данные свидетельствуют о том, что на-
пряжение перекрытия
U
пер
твердых диэлектриков, помещенных в од-
нородное поле так, что их поверхность строго ориентирована вдоль си-
ых линий поля, как правило, меньше пробивного напряжения
U
пр
воздушного промежутка. Снижение разрядного напряжения может
быть связано с наличием воздушной прослойки между диэлектриком и
электродом (плохой контакт), адсорбированной влагой на поверхности
диэлектрика, гигроскопичностью диэлектрика. Длительность и форма
воздействующего напряжения также влияет на величину
U
пер
. При всех
прочих равных условиях
U
пер
при переменном напряжении меньше,
чем на импульсном и постоянном напряжениях.
Для увеличения
U
пер
рекомендуется использовать диэлектрики с
малой гигроскопичностью, повышать давление окружающей среды,
улучшать контакт. Применение диэлектриков с большим
хностным сопротивлением ρ
s
и применение ребер на поверхности
изолятора позволяет увеличить
U
пер
. Уменьшение разницы между ди-
электрическими проницаемостями диэлектрика и окружающей среды
также приводит к росту
U
пер
. Этот эффект особенно заметен становится
на импульсном напряжении.
Основные закономерности и рекомендации, отмеченные для случая
перекрытия в однородном поле, применимы и для резконеоднородных
полей (рис. 1,
б, в). Усиление
ьному снижению
U
пер
по сравнению с однородным полем, но разни-
ца между
U
пер
и U
пр
среды в резконеоднородном поле меньше. При
этом конструкции проходных изоляторов и вводов (рис. 1,
б) из-за на-
личия большой нормальной составляющей (
Е
N
>>E
τ
) имеют заметно
меньшее
U
пер
по сравнению о опорными изоляторами (рис. 1, в) с пре-
обладающим значением тангенциальной составляющей (
Е
N
>>E
τ
).
Для поверхностного разряда в резконеоднородном поле с большой
Е
N
характерно наличие нескольких стадий разряда: ионизация, корон-
ный разряд, скользящий разряд, перекрытие.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- …
- следующая ›
- последняя »