ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
13
При таком рассмотрении распространенность ОЦК
упаковки становится объяснимой.
Ряд металлических структур построен по принципу
усложнения и упрощения основных кристаллических
структур.
1. Наиболее простое строение имеет
низкотемпературная модификация -Po (пр. гр. Pm3m, z=1).
Атомы Po занимают позицию 1a (0 0 0) и выполняют простую
кубическую кладку - ПКК (КЧ=6, расстояние Po-Po равно
параметру ячейки - a; КП - октаэдр).
2. Общим для большинства структур В1, а также структур
Be и -Mn является искажение плотнейшей упаковки с четким
проявлением гетеродесмичности - разделением связей M-M
на два типа, существенно различающихся по прочности. При
этом слоистый характер структуры появляется при смещении
по группе снизу вверх: при переходе от Hg к Cd и Zn, и от Tl к
In.
Производные от СТCu:
In (пр. гр. I4/mmm, z=2, КЧ 4+8) - структура Cu (c/a=1.0),
вытянутая вдоль <001> (c/a=1.08),
-Mn (пр. гр. I4/mmm, z=2, КЧ 8+4) - структура Сu
(c/a=1.0), сжатая вдоль <001> (c/a=0.93),
Hg (пр. гр. R3m, z=1, КЧ= 6+6) - структура Cu, сжатая
вдоль <111> (рис. 5).
14
Рис.5 Образование структуры Hg (по Ю.Егорову-
Тисменко)
Производные от СТMg:
Zn, Сd и Be (пр. гр. P6
3
/mmc, z=2, КЧ=6+6) - структура Mg
(c/a=1.633), растянутая вдоль <0001> (c/a=1.856 для Zn и
c/a=1.885 для Cd) и сжатая вдоль <0001> (c/a=1.585 для Be).
3. Аномальная структура Ga (пр. гр. Acam, z=8, КЧ=7)
несколько напоминает структуру искаженного графита (рис.
6) чередование "слоев" АВАВ, сдвинутых друг относительно
друга. Среди семи атомов, окружающих центральный атом Ga
(3 атома Ga в слое, 2- выше и 2 ниже слоя), можно выделить
один ближайший атом на расстоянии 2.44Å, остальные атомы
находятся на расстояниях в интервале 2.7 – 2.8 Å, т.е. налицо
тенденция к молекулярной структуре. Разумеется, в этой
структуре нет реальных молекул и термин "слой" при ее
описании используется лишь в чисто геометрическом смысле.
13 14 При таком рассмотрении распространенность ОЦК упаковки становится объяснимой. Ряд металлических структур построен по принципу усложнения и упрощения основных кристаллических структур. 1. Наиболее простое строение имеет низкотемпературная модификация -Po (пр. гр. Pm3m, z=1). Атомы Po занимают позицию 1a (0 0 0) и выполняют простую кубическую кладку - ПКК (КЧ=6, расстояние Po-Po равно параметру ячейки - a; КП - октаэдр). Рис.5 Образование структуры Hg (по Ю.Егорову- Тисменко) 2. Общим для большинства структур В1, а также структур Be и -Mn является искажение плотнейшей упаковки с четким Производные от СТMg: проявлением гетеродесмичности - разделением связей M-M на два типа, существенно различающихся по прочности. При Zn, Сd и Be (пр. гр. P63/mmc, z=2, КЧ=6+6) - структура Mg этом слоистый характер структуры появляется при смещении (c/a=1.633), растянутая вдоль <0001> (c/a=1.856 для Zn и по группе снизу вверх: при переходе от Hg к Cd и Zn, и от Tl к c/a=1.885 для Cd) и сжатая вдоль <0001> (c/a=1.585 для Be). In. 3. Аномальная структура Ga (пр. гр. Acam, z=8, КЧ=7) Производные от СТCu: несколько напоминает структуру искаженного графита (рис. 6) чередование "слоев" АВАВ, сдвинутых друг относительно In (пр. гр. I4/mmm, z=2, КЧ 4+8) - структура Cu (c/a=1.0), друга. Среди семи атомов, окружающих центральный атом Ga вытянутая вдоль <001> (c/a=1.08), (3 атома Ga в слое, 2- выше и 2 ниже слоя), можно выделить один ближайший атом на расстоянии 2.44Å, остальные атомы -Mn (пр. гр. I4/mmm, z=2, КЧ 8+4) - структура Сu находятся на расстояниях в интервале 2.7 – 2.8 Å, т.е. налицо (c/a=1.0), сжатая вдоль <001> (c/a=0.93), тенденция к молекулярной структуре. Разумеется, в этой структуре нет реальных молекул и термин "слой" при ее Hg (пр. гр. R3m, z=1, КЧ= 6+6) - структура Cu, сжатая описании используется лишь в чисто геометрическом смысле. вдоль <111> (рис. 5).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »