Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников. Кузьмичева Г.М. - 22 стр.

ромбической модификации, Тс=5-6К для ромбоэдрической
модификации и Тс=6-10 К для кубической.
    Отметим, что в отдельных случаях можно получить
повышение критической температуры путем использования
особых методов приготовления образцов (в тонких пленках или в
аморфном состоянии) либо в условиях высокого давления. Так,
при P~90ГПа обнаружена металлизация серы, а при P=100ГПа
сера переходит в сверхпроводящее состояние с Тс=15К, причем
при P~157 ГПа наблюдается резкий скачок до 17К. Это -
максимальная (хотя и достигнутая при весьма экзотических
условиях) величина Tc для одноэлементных сверхпроводников.
    Одно из эмпирических правил Маттиаса устанавливает связь
сверхпроводимости простых веществ с числом валентных
электронов - Zv (число валентных электронов принимается равным
номеру группы Периодической системы, в которой расположен
элемент): сверхпроводимость наблюдается у металлов, для
которых 2 ≤ Zv≤ 8.
    Лу и Вонг предложили критерий сверхпроводимости простых
веществ, основанный на величине электротрицательности (χ)
элементов по шкале Полинга: сверхпроводимость характерна
для металлов, для которых 1,3≤χ≤1,9. Ряд простых веществ,
величина которых лежит вне этого интервала, переходят в
сверхпроводящее состояние под действием высокого давления:
Cr, P (χ=2,2), Ce (χ=1,2), Li, Cs, Ba (χ<1). Несверхпроводящими
являются металлы, обладающие магнитным порядком, а именно,
переходные металлы с незаполненными d и f - оболочками.
    Максвелом и независимо от него Рейнольдцем выявлена
зависимость между Тс и атомной массой изотопа ртути -
изотопический эффект: величина Тс увеличивается при
уменьшении атомной массы.
    Таким образом, кристаллохимический анализ простых
веществ со сверхпроводяшими свойствами указывает на то, что
при их рассмотрении необходимо принимать во внимание
симметрию, величину электроотрицательности элемента и его
электронное строение.

22