Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников. Кузьмичева Г.М. - 36 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

36
Рис. 19. Зависимость величины T
c
от значения e/a:
1 - СТ β-W (Cr
3
Si), 2 - CТMgCu
2
, 3 - СТNaCl, 4 - СТCu
3
Au.
В дальнейшем кроме этих интервалов установлено наличие
еще одного интервала 3≤e/a≤4 с Т
сmax
при e/a~3,25 и e/a~3,75
эл/атом для фаз СT Cu
3
Au.
Обычно наивысшие значения Т
c
достигаются в
стехиометрических соединениях. Это означает, что при
отклонении от стехиометрии изменяется либо величина
оптимальной концентрации валентных электронов, либо значение
отношений радиусов атомов.
Таким образом, в металлических соединениях отчетливо
выделяется роль строения в реализации сверхпроводящих
свойств: необходимо или присутствие в структуре кластеров с
ковалентной составляющей связи, объединенных в
     Рис. 19. Зависимость величины Tc от значения e/a:
     1 - СТ β-W (Cr3Si), 2 - CТMgCu2, 3 - СТNaCl, 4 - СТCu3Au.

    В дальнейшем кроме этих интервалов установлено наличие
еще одного интервала 3≤e/a≤4 с Тсmax при e/a~3,25 и e/a~3,75
эл/атом для фаз СT Cu3Au.
    Обычно    наивысшие     значения    Тc   достигаются   в
стехиометрических соединениях. Это означает, что при
отклонении от стехиометрии изменяется либо величина
оптимальной концентрации валентных электронов, либо значение
отношений радиусов атомов.
    Таким образом, в металлических соединениях отчетливо
выделяется роль строения в реализации сверхпроводящих
свойств: необходимо или присутствие в структуре кластеров с
ковалентной    составляющей      связи,    объединенных    в
36

Страницы