Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников. Кузьмичева Г.М. - 4 стр.

         II. Кристаллохимия полупроводников

    В 1931 году Вильсон определил полупроводники как
вещества, которые при температуре 0 К имеют заполненную
валентную     зону,   отделенную     от  вышележащих      зон
проводимости областью запрещенных энергий (запрещенной
энергетической зоной).
    Данное "физическое" определение не позволяет a priori
сказать, какие вещества могут быть полупроводниками, а какие -
нет. Это можно сделать, используя кристаллохимические знания,
так как кристаллохимия устанавливает связь между составом
соединения, его строением и "структурно-чувствительными"
свойствами.
    Кристаллохимические критерии полупроводимости позволяет
отличать металлы от полупроводников, ионных веществ и
изоляторов и тем самым теоретически предсказывать наличие
полупроводниковых свойств у веществ.

    II.1. Кристаллохимические условия возникновения
                полупроводниковых свойств

     I. Атомы одного или некоторых компонентов имеют
заполненный электронный октет, что в кристаллическом состоянии
соответствует заполнению валентной зоны за счет переноса или
обобществления электронов. Полностью заполненный октет
может      быть    у     электроотрицательного       компонента
(анионообразователя), т.е. элемента из группы B2 (Таблица 1).
    Это условие является выражением валентного правила
Мозера-Пирсона (1960 г):        Для соединений типа AnXm
справедливо соотношение (eA+eX)/m±b=8, где eA -число
валентных электронов у катиона,         eX - число валентных
электронов у аниона, m - число анионов, b - число связей,
образуемых между одноименными атомами.



4