Электричество и магнетизм. Ч.1. Ланкина М.П - 12 стр.

UptoLike

23
Уровни свободного атома
Энергия
Рис. 1
В идеальном полупроводниковом кристалле ( без примесей и де-
фектов решетки) при Т=0 К валентная зона целиком заполнена электро-
нами, а зона проводимости пуста. Для участия в электропроводности
электрон должен иметь возможность за счет электрического поля при-
обрести дополнительную энергию, т. е. перейти на более высокий уро-
вень.
Таким образом, в
электропроводности могут участвовать элек-
троны частично заполненных зон, например, зоны проводимости. Если
электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости, в валент-
ной зоне образуется незанятое местодырка. В отсутствие электриче-
ского поля дырка беспорядочно перемещается в направлении поля, т. е.
ведёт себя как частица с положительным зарядом, равным по величине
заряду электрона. Следовательно, дырка является носителем тока в по-
лупроводнике.
Введение в полупроводник ничтожного количества примесей чрез-
вычайно сильно увеличивает удельную электропроводность полупро-
водников. Это объясняется тем, что электрические уровни примесных
электронов располагаются вблизи дна зоны проводимости. Для перехо-
дов в свободную зону примесные электроны должны повысить свою
энергию на
величину ∆Е
1
, которая меньше ∆Е
3
(рис. 2). Подобные при-
месные уровни называются донорными уровнями, а сами примеси до-
норами.
24
ΔЕ
з
ΔЕ
1
Уровень доноров
Зона
проводимости
электронов
Заполненная
зона
ΔЕ
з
ΔЕ
2
Уровень акцепторов
Зона
проводимости
дырок
Свободная
зона
Рис. 2
В результате переброса электронов с донорных уровней в зону
проводимости в полупроводнике возникает электронная примесная про-
водимость (проводимость n-типа).
Существуют также примеси совершенно другого характера, по-
лучившие название акцепторов. Акцепторные уровни располагаются
вблизи заполненной зоны. При температурах, отличных от абсолютного
нуля, на такие уровни могут перейти электроны из заполненной зоны
∆Е
1
∆Е
3
и вероятность перехода их в зону проводимости будет меньше.
Если на уровень акцепторных примесей перешло несколько электронов
из заполненной зоны, то в последней останется столько же незаполнен-
ных уровней, т.е. свободных местдырок, сколько ушло электронов.
Под влиянием электрического поля электроны заполненной зоны будут
перемещаться против направления электрического поля.
При таком
преимущественном перемещении электронов дырки будут заполняться
именно теми электронами, которые подходят к ним под действием поля,
но эти электроны будут оставлять после себя новые дырки, которые
также будут заполняться электронами. В результате такого процесса в
полупроводнике, находящемся в электрическом поле, электроны будут
перемещаться от отрицательного полюса к положительному, в
то время
как дыркив обратном направлении. Описанный тип проводимости
называется проводимостью p-типа, а полупроводники с такой проводи-
мостьюдырочными, или полупроводниками p-типа.
Таким образом, возможны два механизма проводимости: электрон-
ный и дырочный. Первыйсоответствует движению электронов в сво-
бодной зоне, второйдвижению дырок в заполненной зоне.
Два полупроводника (дырочный
и электронный), приведенные в
соприкосновение, образуют p-n переход. Полупроводник, содержащий
   Энергия
                                                                                                                    Зона
                                                                                                                проводимости                              Свободная
                                                                                                                 электронов                                 зона
                                                                                                                ΔЕ1




                                                                                                                               Уровень акцепторов
                                                                                        Уровень доноров
                                                             Уровни свободного атома
                                                                                                          ΔЕз                                       ΔЕз
                                                                                                                                                          ΔЕ2   Зона
                                                                                                                Заполненная
                                                                                                                    зона                                    проводимости
                                                                                                                                                               дырок


                                                                                                                       Рис. 2

                                                                                             В результате переброса электронов с донорных уровней в зону
                                                                                       проводимости в полупроводнике возникает электронная примесная про-
                                                                                       водимость (проводимость n-типа).
                               Рис. 1
                                                                                             Существуют также примеси совершенно другого характера, по-
      В идеальном полупроводниковом кристалле ( без примесей и де-                     лучившие название акцепторов. Акцепторные уровни располагаются
фектов решетки) при Т=0 К валентная зона целиком заполнена электро-                    вблизи заполненной зоны. При температурах, отличных от абсолютного
нами, а зона проводимости пуста. Для участия в электропроводности                      нуля, на такие уровни могут перейти электроны из заполненной зоны
электрон должен иметь возможность за счет электрического поля при-                     ∆Е1‹∆Е3 и вероятность перехода их в зону проводимости будет меньше.
обрести дополнительную энергию, т. е. перейти на более высокий уро-                    Если на уровень акцепторных примесей перешло несколько электронов
вень.                                                                                  из заполненной зоны, то в последней останется столько же незаполнен-
      Таким образом, в электропроводности могут участвовать элек-                      ных уровней, т.е. свободных мест – дырок, сколько ушло электронов.
троны частично заполненных зон, например, зоны проводимости. Если                      Под влиянием электрического поля электроны заполненной зоны будут
электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости, в валент-                    перемещаться против направления электрического поля. При таком
ной зоне образуется незанятое место – дырка. В отсутствие электриче-                   преимущественном перемещении электронов дырки будут заполняться
ского поля дырка беспорядочно перемещается в направлении поля, т. е.                   именно теми электронами, которые подходят к ним под действием поля,
ведёт себя как частица с положительным зарядом, равным по величине                     но эти электроны будут оставлять после себя новые дырки, которые
заряду электрона. Следовательно, дырка является носителем тока в по-                   также будут заполняться электронами. В результате такого процесса в
лупроводнике.                                                                          полупроводнике, находящемся в электрическом поле, электроны будут
      Введение в полупроводник ничтожного количества примесей чрез-                    перемещаться от отрицательного полюса к положительному, в то время
вычайно сильно увеличивает удельную электропроводность полупро-                        как дырки – в обратном направлении. Описанный тип проводимости
водников. Это объясняется тем, что электрические уровни примесных                      называется проводимостью p-типа, а полупроводники с такой проводи-
электронов располагаются вблизи дна зоны проводимости. Для перехо-                     мостью – дырочными, или полупроводниками p-типа.
дов в свободную зону примесные электроны должны повысить свою                                Таким образом, возможны два механизма проводимости: электрон-
энергию на величину ∆Е1, которая меньше ∆Е3 (рис. 2). Подобные при-                    ный и дырочный. Первый – соответствует движению электронов в сво-
месные уровни называются донорными уровнями, а сами примеси до-                        бодной зоне, второй – движению дырок в заполненной зоне.
норами.                                                                                      Два полупроводника (дырочный и электронный), приведенные в
                                                                                       соприкосновение, образуют p-n переход. Полупроводник, содержащий

                                23                                                                                               24