ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
23
Уровни свободного атома
Энергия
Рис. 1
В идеальном полупроводниковом кристалле ( без примесей и де-
фектов решетки) при Т=0 К валентная зона целиком заполнена электро-
нами, а зона проводимости пуста. Для участия в электропроводности
электрон должен иметь возможность за счет электрического поля при-
обрести дополнительную энергию, т. е. перейти на более высокий уро-
вень.
Таким образом, в
электропроводности могут участвовать элек-
троны частично заполненных зон, например, зоны проводимости. Если
электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости, в валент-
ной зоне образуется незанятое место – дырка. В отсутствие электриче-
ского поля дырка беспорядочно перемещается в направлении поля, т. е.
ведёт себя как частица с положительным зарядом, равным по величине
заряду электрона. Следовательно, дырка является носителем тока в по-
лупроводнике.
Введение в полупроводник ничтожного количества примесей чрез-
вычайно сильно увеличивает удельную электропроводность полупро-
водников. Это объясняется тем, что электрические уровни примесных
электронов располагаются вблизи дна зоны проводимости. Для перехо-
дов в свободную зону примесные электроны должны повысить свою
энергию на
величину ∆Е
1
, которая меньше ∆Е
3
(рис. 2). Подобные при-
месные уровни называются донорными уровнями, а сами примеси до-
норами.
24
ΔЕ
з
ΔЕ
1
Уровень доноров
Зона
проводимости
электронов
Заполненная
зона
ΔЕ
з
ΔЕ
2
Уровень акцепторов
Зона
проводимости
дырок
Свободная
зона
Рис. 2
В результате переброса электронов с донорных уровней в зону
проводимости в полупроводнике возникает электронная примесная про-
водимость (проводимость n-типа).
Существуют также примеси совершенно другого характера, по-
лучившие название акцепторов. Акцепторные уровни располагаются
вблизи заполненной зоны. При температурах, отличных от абсолютного
нуля, на такие уровни могут перейти электроны из заполненной зоны
∆Е
1
‹∆Е
3
и вероятность перехода их в зону проводимости будет меньше.
Если на уровень акцепторных примесей перешло несколько электронов
из заполненной зоны, то в последней останется столько же незаполнен-
ных уровней, т.е. свободных мест – дырок, сколько ушло электронов.
Под влиянием электрического поля электроны заполненной зоны будут
перемещаться против направления электрического поля.
При таком
преимущественном перемещении электронов дырки будут заполняться
именно теми электронами, которые подходят к ним под действием поля,
но эти электроны будут оставлять после себя новые дырки, которые
также будут заполняться электронами. В результате такого процесса в
полупроводнике, находящемся в электрическом поле, электроны будут
перемещаться от отрицательного полюса к положительному, в
то время
как дырки – в обратном направлении. Описанный тип проводимости
называется проводимостью p-типа, а полупроводники с такой проводи-
мостью – дырочными, или полупроводниками p-типа.
Таким образом, возможны два механизма проводимости: электрон-
ный и дырочный. Первый – соответствует движению электронов в сво-
бодной зоне, второй – движению дырок в заполненной зоне.
Два полупроводника (дырочный
и электронный), приведенные в
соприкосновение, образуют p-n переход. Полупроводник, содержащий
Энергия Зона проводимости Свободная электронов зона ΔЕ1 Уровень акцепторов Уровень доноров Уровни свободного атома ΔЕз ΔЕз ΔЕ2 Зона Заполненная зона проводимости дырок Рис. 2 В результате переброса электронов с донорных уровней в зону проводимости в полупроводнике возникает электронная примесная про- водимость (проводимость n-типа). Рис. 1 Существуют также примеси совершенно другого характера, по- В идеальном полупроводниковом кристалле ( без примесей и де- лучившие название акцепторов. Акцепторные уровни располагаются фектов решетки) при Т=0 К валентная зона целиком заполнена электро- вблизи заполненной зоны. При температурах, отличных от абсолютного нами, а зона проводимости пуста. Для участия в электропроводности нуля, на такие уровни могут перейти электроны из заполненной зоны электрон должен иметь возможность за счет электрического поля при- ∆Е1‹∆Е3 и вероятность перехода их в зону проводимости будет меньше. обрести дополнительную энергию, т. е. перейти на более высокий уро- Если на уровень акцепторных примесей перешло несколько электронов вень. из заполненной зоны, то в последней останется столько же незаполнен- Таким образом, в электропроводности могут участвовать элек- ных уровней, т.е. свободных мест – дырок, сколько ушло электронов. троны частично заполненных зон, например, зоны проводимости. Если Под влиянием электрического поля электроны заполненной зоны будут электрон переходит из валентной зоны в зону проводимости, в валент- перемещаться против направления электрического поля. При таком ной зоне образуется незанятое место – дырка. В отсутствие электриче- преимущественном перемещении электронов дырки будут заполняться ского поля дырка беспорядочно перемещается в направлении поля, т. е. именно теми электронами, которые подходят к ним под действием поля, ведёт себя как частица с положительным зарядом, равным по величине но эти электроны будут оставлять после себя новые дырки, которые заряду электрона. Следовательно, дырка является носителем тока в по- также будут заполняться электронами. В результате такого процесса в лупроводнике. полупроводнике, находящемся в электрическом поле, электроны будут Введение в полупроводник ничтожного количества примесей чрез- перемещаться от отрицательного полюса к положительному, в то время вычайно сильно увеличивает удельную электропроводность полупро- как дырки – в обратном направлении. Описанный тип проводимости водников. Это объясняется тем, что электрические уровни примесных называется проводимостью p-типа, а полупроводники с такой проводи- электронов располагаются вблизи дна зоны проводимости. Для перехо- мостью – дырочными, или полупроводниками p-типа. дов в свободную зону примесные электроны должны повысить свою Таким образом, возможны два механизма проводимости: электрон- энергию на величину ∆Е1, которая меньше ∆Е3 (рис. 2). Подобные при- ный и дырочный. Первый – соответствует движению электронов в сво- месные уровни называются донорными уровнями, а сами примеси до- бодной зоне, второй – движению дырок в заполненной зоне. норами. Два полупроводника (дырочный и электронный), приведенные в соприкосновение, образуют p-n переход. Полупроводник, содержащий 23 24
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »