ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
146
примеси
18
105...3 ⋅ см
-3
. Вырожденный p-полупроводник получается при внесе-
нии в GaAs примеси цинка; концентрация примеси 10
19
см
-3
. Генерация осуще-
ствляется на длинах волн от 0,82 мкм до 0,9 мкм (инфракрасное излучение).
Инжекционный лазер на GaAs показан на рисунке
4.10. Видно, что зеркалами оптического резонатора
служат отполированные грани кристалла, ориентиро-
ванные перпендикулярно к плоскости, по которой кон-
тактируют друг с другом n-полупроводник (2) и p-
полупроводник (1). (3) – металлические контакты, (4) –
излучение лазера. Инжекционный лазер отличается сво-
ей миниатюрностью; линейные размеры граней полу-
проводникового кристалла составляют всего 1 мм. Тол-
щина излучающей области (области перехода) равна всего лишь 2 мкм. Мощ-
ность генерируемого излучения такого лазера порядка 10 мВт достигается в не-
прерывном режиме; в импульсном режиме она достигает 100 Вт. Наибольшие
мощности реализуются при охлаждении до 4,2 К. Разработаны образцы полу-
проводниковых лазеров, которые могут генерировать в сине-зеленой области
спектра. Инжекционные лазеры характеризуются высоким КПД, который мо-
жет достигать 50...60 %.
5 Основы голографии
Голография это интерференционный метод регистрации световых волн,
дифрагировавших на объекте, который освещен когерентным светом /7/. Иначе
говоря, голографический способ записи и восстановления волнового поля осно-
ван на регистрации интерференционной картины, которая образована волной,
отраженной предметом (
предметная волна) и когерентной с ней волной, иду-
щей непосредственно от источника света (
опорная волна). Зарегистрированная
интерференционная картина называется
голограммой.
5.1 История развития голографии
Основы голографии были заложены в 1948 году английским физиком
Деннисом Габором. Само слово голография происходит от греческого
holos,
что означает "весь", "целый". Этим изобретатель хотел подчеркнуть, что в голо-
графии регистрируется полная информация о волне, как амплитудная, так и фа-
зовая.
Габор поставил перед собой задачу усовершенствования принципов
электронной микроскопии. Он предложил регистрировать, кроме амплитудной,
также и фазовую информацию об электронных волнах путем наложения коге-
рентной опорной волны. Из-за отсутствия когерентных электронных пучков он
провел оптические модельные опыты, положившие начало голографии. Однако
трудности, связанные с отсутствием мощных источников когерентного света,
Рисунок
примеси 3...5 ⋅ 1018 см-3. Вырожденный p-полупроводник получается при внесе- нии в GaAs примеси цинка; концентрация примеси 1019 см-3. Генерация осуще- ствляется на длинах волн от 0,82 мкм до 0,9 мкм (инфракрасное излучение). Инжекционный лазер на GaAs показан на рисунке 4.10. Видно, что зеркалами оптического резонатора служат отполированные грани кристалла, ориентиро- ванные перпендикулярно к плоскости, по которой кон- тактируют друг с другом n-полупроводник (2) и p- полупроводник (1). (3) – металлические контакты, (4) – излучение лазера. Инжекционный лазер отличается сво- ей миниатюрностью; линейные размеры граней полу- Рисунок проводникового кристалла составляют всего 1 мм. Тол- щина излучающей области (области перехода) равна всего лишь 2 мкм. Мощ- ность генерируемого излучения такого лазера порядка 10 мВт достигается в не- прерывном режиме; в импульсном режиме она достигает 100 Вт. Наибольшие мощности реализуются при охлаждении до 4,2 К. Разработаны образцы полу- проводниковых лазеров, которые могут генерировать в сине-зеленой области спектра. Инжекционные лазеры характеризуются высоким КПД, который мо- жет достигать 50...60 %. 5 Основы голографии Голография это интерференционный метод регистрации световых волн, дифрагировавших на объекте, который освещен когерентным светом /7/. Иначе говоря, голографический способ записи и восстановления волнового поля осно- ван на регистрации интерференционной картины, которая образована волной, отраженной предметом (предметная волна) и когерентной с ней волной, иду- щей непосредственно от источника света (опорная волна). Зарегистрированная интерференционная картина называется голограммой. 5.1 История развития голографии Основы голографии были заложены в 1948 году английским физиком Деннисом Габором. Само слово голография происходит от греческого holos, что означает "весь", "целый". Этим изобретатель хотел подчеркнуть, что в голо- графии регистрируется полная информация о волне, как амплитудная, так и фа- зовая. Габор поставил перед собой задачу усовершенствования принципов электронной микроскопии. Он предложил регистрировать, кроме амплитудной, также и фазовую информацию об электронных волнах путем наложения коге- рентной опорной волны. Из-за отсутствия когерентных электронных пучков он провел оптические модельные опыты, положившие начало голографии. Однако трудности, связанные с отсутствием мощных источников когерентного света, 146
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 60
- 61
- 62
- 63
- 64
- …
- следующая ›
- последняя »