Технология намотки в приборо- и электроаппаратостроении. Ларин В.П. - 51 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СПб ГУАП | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

51
8
2
2 м0
10 ,
vCr
в
Sy
=
ω
Гс/дел,
где ω
2
– количество витков во вторичной обмотке;
e
– емкость в цепи
вторичной обмотки (ф); r
2
– активное сопротивление в цепи вторичной
обмотки, Ом; S
м
– сечение магнитопровода, см
2
.
3. Вычислить удельные потери в магнитопроводе по формуле
7
, Вт/г,
410
n
Sab
Pf
γ
=
πγ
где S
n
– площадь гистерезиса в тех же единицах, в которых взяты X
0
, Y
0
;
γ – плотность материала магнипровода, г/см
3
.
4. Вычислить коэффициент прямоугольности петли по формуле
,
2
max
max
H
H
B
B
K
=
где
maxH
B
– магнитная индукция, соответствующая
max
2
H
;
maxH
B
–
магнитная индукция, соответствующая максимальной напряженности
H
max
(см. рис. 5.4).
5. Вычислить удельные потери в магнитопроводе по формуле
7
, Вт/г,
410
n
Sab
Pf
γ
=
πγ
где S
n
– площадь гистерезиса в тех же единицах, в которых взяты X
0
, Y
0
;
γ – плотность материала магнитопровода, г/см
3
.
Данные элементов схемы
l
ср
ω
1
ω
2
r
1
r
2
S
м
C
γ
13 см 223 758 75 Ом 76,2 кОм 4 см^2 0,6 мк 7,8 г/см^3
Содержание отчета
1. Схема установки для исследования магнитопровода.
2. Результаты вычислений.
3. Графики зависимостей
() () ()
12 3
,,
xx
JPKPPP
γ
=ϕ =ϕ =ϕ
для
трех значений f.

Страницы