Высоковольтные испытательные установки и измерения. Лавринович В.А. - 9 стр.

UptoLike

Составители: 

9
рами от 0 до 100% происходит в сравнительно узком диапазоне изменения ам-
плитуд, подаваемых на электроды импульсов, поэтому принято измерение ам-
плитуд импульсных напряжений производить при 50% вероятности пробоя. Из-
мерение импульсных напряжений можно проводить двумя путями.
1. Для получения 50% пробивного импульсного напряжения изменяют рас-
стояние между шаровыми электродами (при
U
max
=
const
) или изменяют напря-
жение ГИН (при
S
=
const
). Изменение проводят ступенямине более 2% ожи-
даемого значения расстояния, при котором должен произойти пробой, или про-
бивного напряжения. На каждой ступени делают шесть приложений импульс-
ных напряжений с интервалом не менее 5 с. Значение разрядного напряжения,
дающего 50% вероятность пробоя, определяют интерполяцией между двумя от-
счетами расстояния или напряжения. Один отсчет соответствует
одному или
двум пробоям из шести приложений, а второй отсчетчетырем или пяти про-
боям из шести приложений.
2. Для получения 50% пробивного импульсного напряжения изменяют рас-
стояние между шаровыми электродами или напряжение ГИН таким образом,
чтобы между электродами возникало от четырех до шести пробоев из 10 прило-
жений импульсного напряжения. В этом
случае амплитудное значение напря-
жения соответствует 50% разрядному напряжению и может быть определено из
стандартных таблиц разрядных напряжений шаровых промежутков.
При измерении импульсных напряжений с использованием стандартных
таблиц минимальная погрешность достигается при импульсах напряжения дли-
тельностью не менее 5 мкс с временем нарастания напряжения не менее 1 мкс.
1.3. Измерение электростатическим киловольтметром
Для прямого измерения высокого напряжения применяют электростатиче-
ские киловольтметры. Принцип измерения напряжения электростатическим ки-
ловольтметром основан на измерении сил, возникающих между заряженными
электродами (рис. 1.2).
Может быть, вот так: Между пластинами 1 и 2, образующими плоский кон-
денсатор, под воздействием приложенного к ним напряжения возникает сила
электростатического взаимодействия, стремящаяся сблизить их. В отверстии
одной
из пластин устанавливается дополнительная подвижная пластина 3, на
которую также действует электростатическая сила, пропорциональная площади
S
пластины 3. Перемещение подвижной пластины 3 уравновешивается механи-
ческой силой системы ее крепления. Эта сила пропорциональна квадрату на-
пряжения и может быть выражена как
22
2
0
2
UKU
l
S
F =
=
ε
ε
, (4)