ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
В оба полупериода, как видно из рисунка 8.4 ток через нагрузочный
резистор
имеет одно и то же направление.
н
R
Выражения для средних значений выпрямленных напряжения и тока
имеют вид
()
∫
==
2
0
2
2
2
2
1
Т
m
mнср
U
tdtsinU
Т
U
π
ω
;
н
нср
нср
R
U
I =
.
Анализ приведенных соотношений показывает, что при одинаковых
значениях параметров трансформаторов и сопротивлений
мостовой
выпрямитель по сравнению с однополупериодным имеет следующие пре-
имущества:
н
R
- средние значения выпрямленных тока
и напряжения U в два
раза больше;
нср
I
нср
- пульсации значительно меньше;
- частота пульсаций в два раза выше, что уменьшает габариты фильтра.
8.4 Транзисторы
8.4.1 Общие сведения.
Транзисторы (Т) – полупроводниковые приборы, служащие для уси-
ления мощности электрических сигналов. По принципу действия транзи-
сторы делятся на биполярные и полевые (униполярные).
б)
а)
ЭЭ
ЭЭ
КК
К
К
ББ
ББ
р nр nnp
Рисунок 8.5 – Структура биполярного транзистора типов
p
n
p
−
−
(а),
n
p
n
−
− (б) и их условное обозначение
Биполярный транзистор (БТ) – представляет собой трехслойную
структуру (рисунок 8.5) В зависимости от способа чередования слоев БТ
171
В оба полупериода, как видно из рисунка 8.4 ток через нагрузочный
резистор Rн имеет одно и то же направление.
Выражения для средних значений выпрямленных напряжения и тока
имеют вид
Т
2
1 2U 2 m
U нср =
Т ( )∫
2 0
U 2 m sin ωtdt =
π
;
U нср
I нср =
.
Rн
Анализ приведенных соотношений показывает, что при одинаковых
значениях параметров трансформаторов и сопротивлений Rн мостовой
выпрямитель по сравнению с однополупериодным имеет следующие пре-
имущества:
- средние значения выпрямленных тока I нср и напряжения U нср в два
раза больше;
- пульсации значительно меньше;
- частота пульсаций в два раза выше, что уменьшает габариты фильтра.
8.4 Транзисторы
8.4.1 Общие сведения.
Транзисторы (Т) – полупроводниковые приборы, служащие для уси-
ления мощности электрических сигналов. По принципу действия транзи-
сторы делятся на биполярные и полевые (униполярные).
Э К Э К
Б Б
Э К Э К
р n р n p n
Б Б
а) б)
Рисунок 8.5 – Структура биполярного транзистора типов p − n − p
(а), n − p − n (б) и их условное обозначение
Биполярный транзистор (БТ) – представляет собой трехслойную
структуру (рисунок 8.5) В зависимости от способа чередования слоев БТ
171
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 87
- 88
- 89
- 90
- 91
- …
- следующая ›
- последняя »
