ВУЗ:
Рубрика:
1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Энергия взаимодействия магнитного момента электронной оболочки (для
простоты мы будем рассматривать один электрон) с постоянным магнитным
полем H равна:
HgW
β
=∆
, где g - "g-фактоp", т.е. отношение величин
магнитного и механического моментов, выраженное в единицах
mc
e
2
;
20
1093.0
2
−
⋅==
mc
eh
β
- магнетон Бора. Для свободного электрона g=2. В
магнитном поле при взаимодействии с электромагнитным излучением
оказываются возможными переходы с энергией:
HgW
β
=
∆
(1)
Эти переходы и используются в методе электронного парамагнитного
резонанса.
Используя выражение (1), можно определить частоту электромагнитного
излучения, которое будет поглощаться парамагнитным веществом:
Hg
β
ν
h
1
=
.
Для
и . Для того, чтобы произошло
поглощение, необходимо выполнить еще одно условие. Переходы между
зеемановскими уровнями можно представить, как повороты магнитного
момента относительно внешнего магнитного поля. Эти повороты могут быть
осуществлены только под действием силы, возникающей в результате
взаимодействия магнитного поля электромагнитной волны
с магнитным
моментом электрона. Для возникновения такой силы необходимо, чтобы
(см. рис.1 ).
2=g
ГцЭрстедH
103
10,103 =⋅=
ν
1
H
HH
rr
⊥
1
Чувствительность метода ЭПР определяется скоростью поглощения
энергии исследуемой системы. Пусть система содержит N парамагнитных
частиц. Для определенности рассмотрим свободные радикалы с чисто
спиновым парамагнетизмом (
,0
=
I
,
2
1
=s
2
=
g
). В этом случае
энергетический уровень радикала в магнитном поле расщепляется на два
уровня, отстоящих друг от друга на
HgW
β
=
∆
. Заселенности уровней в
отсутствие поглощения энергии будут определяться константами скорости
спонтанных переходов
и :
1
K
2
K
2211
KNKN
=
или:
kT
W
e
K
K
N
N
∆
−
==
2
1
2
2
, при этом
,
NNN =+
21
1<<
∆
k
T
W
(при комнатной температуре и
ЭH 3000
=
3
10
−
∝
∆
kT
W
).
Поэтому с достаточной точностью
kT
W
N
N
∆
−=1
1
2
. При резонансном поглощении
энергии возникают вынужденные переходы, характеризующиеся константой
скорости
, пропорциональной интенсивности электромагнитного
2
1
HkK
инд
⋅=
1. ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ Энергия взаимодействия магнитного момента электронной оболочки (для простоты мы будем рассматривать один электрон) с постоянным магнитным полем H равна: ∆W = gβ H , где g - "g-фактоp", т.е. отношение величин e магнитного и механического моментов, выраженное в единицах ; 2mc eh β= = 0.93 ⋅ 10 − 20 - магнетон Бора. Для свободного электрона g=2. В 2mc магнитном поле при взаимодействии с электромагнитным излучением оказываются возможными переходы с энергией: ∆W = gβ H (1) Эти переходы и используются в методе электронного парамагнитного резонанса. Используя выражение (1), можно определить частоту электромагнитного 1 излучения, которое будет поглощаться парамагнитным веществом: ν = gβ H . h Для g = 2 и H = 3 ⋅ 10 Эрстед ,ν = 10 Гц . Для того, чтобы произошло 3 10 поглощение, необходимо выполнить еще одно условие. Переходы между зеемановскими уровнями можно представить, как повороты магнитного момента относительно внешнего магнитного поля. Эти повороты могут быть осуществлены только под действием силы, возникающей в результате взаимодействия магнитного поля электромагнитной волны H 1 с магнитным моментом электрона. Для возникновения такой силы необходимо, чтобы r r H 1 ⊥ H (см. рис.1 ). Чувствительность метода ЭПР определяется скоростью поглощения энергии исследуемой системы. Пусть система содержит N парамагнитных частиц. Для определенности рассмотрим свободные радикалы с чисто 1 спиновым парамагнетизмом ( I = 0, s = , g = 2 ). В этом случае 2 энергетический уровень радикала в магнитном поле расщепляется на два уровня, отстоящих друг от друга на ∆W = gβ H . Заселенности уровней в отсутствие поглощения энергии будут определяться константами скорости ∆W N 2 K1 − спонтанных переходов K1 и K 2 : N1 K1 = N 2 K 2 или: = = e kT , при этом N2 K2 ∆W ∆W N1 + N 2 = N , << 1 (при комнатной температуре и H = 3000Э ∝ 10 −3 ). kT kT N ∆W Поэтому с достаточной точностью 2 = 1 − . При резонансном поглощении N1 kT энергии возникают вынужденные переходы, характеризующиеся константой скорости K инд = k ⋅ H 1 , пропорциональной интенсивности электромагнитного 2