ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Вариант 30. Найти методом покоординатного спуска с локализацией минимума по каждой координате
методом золотого сечения температуру и ток в электрохимической ванне кадмирования, при которых время
получения покрытия толщиной 30 мкм будет минимальным:
ВТ = 0,38·lg (550T/(10 + 24i)) ;
S = 5 м
2
; Э = 3,3·10
–5
кг/А·мин; 20 ≤ Т ≤ 40 °С; 500 ≤ I ≤ 2000 А.
При имитационном моделировании выходная координата δ; входная координата I; М
0
равно оптимальному
значению тока, найденному на этапе оптимизации; K = 1·10
4
exp(–0,076dt).
Литература: [1, 3, 12, 24, 25, 27].
Вариант 31. Найти овражным методом площадь поверхности труб для отвода тепла из кипящего слоя и
объем печи кипящего слоя для обжига серного колчедана, при которых концентрация SO
2
на выходе из печи
будет максимальной:
4FeS
2
+ 11O
2
→
1
k
2Fe
2
O
3
+ 8SO
2
+ Q
1
;
2SO
2
+ O
2
→
2
k
2SO
3
;
α
1
= α
2
= 2; А
1
= 4800; Е
1
= 62 000 Дж/моль; A
2
= 2·10
11
;
E
2
= 108 000 Дж/моль; Q
1
= 125,4 кДж/моль; v
возд.вх
= 10 м
3
/с;
Т
FeS2вх
= 300 К; T
воздювх
= 300 К; ρ = 570 кг/м
3
; m
FeS2вх.
= 6 кг/с;
K
t
= 5800 Вт/м
2
·град; T
t
= 283
K; C
t
= 2300 Дж/кг·град;
1 ≤ F ≤ 100 м
2
; 1 ≤ V ≤ 20 м
3
.
При имитационном моделировании выходная координата
вых2
SO
С
, входная координата v
возд.вх
; М
0
= 10 м
з
/с;
K = 3ехр(–0,058dt).
Литература: [1, 3, 10, 12, 24, 25].
Вариант 32. Найти модифицированным партан-методом температуру и ток в электрохимической ванне
цинкования, при которых время получения покрытия толщиной 50 мкм будет минимальным:
ВT = (0,01Т
2
+ 0,001Т)/(0,0001i
2
);
S = 2 м
2
; Э = 2,03·10
–7
кг/А·мин; 20 ≤ Т ≤ 30 °С; 700 ≤ I ≤ 900 А.
При имитационном моделировании выходная координата δ, входная координата Т, М
0
равно оптимально-
му значению температуры, найденному на этапе оптимизации, K = 10ехр(–0,1dt).
Литература: [1, 3, 12, 24, 25, 27, 38].
Вариант 33. Найти методом оптимизационного поиска в заданном направлении с целью нахождения до-
пустимой точки диаметр реактора дегидрирования бутана и объем аппарата дегидрирования бутилена двухста-
дийной схемы производства дивинила из бутана, при которых концентрация дивинила на выходе двухстадий-
ной схемы будет максимальной.
Реакция в кипящем слое реактора дегидрирования бутана:
C
4
H
10
←
→
2
1
k
k
C
4
H
8
+ H
2
.
РЕАКЦИЯ В КОНТАКТНОМ АППАРАТЕ ДЕГИДРИРОВАНИЯ БУТИЛЕНА:
C
4
H
8
←
→
4
3
k
k
C
4
H
6
+ H
2
;
α
1
= α
2
= α
3
= 1; α
4
= 0; А
1
= 45 500; Е
1
= 75 000 Дж/моль; A
2
= 50 000;
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 87
- 88
- 89
- 90
- 91
- …
- следующая ›
- последняя »