Электромагнитная совместимость устройств систем управления (в информационной системе МИРЭА-МГДД(Ю)Т). Лотоцкий В.Л. - 14 стр.

                                         14
                     5.6. Магнитостатическое экранирование


                                                        Основано на использовании
                                                   ферромагнетиков, имеющих маг-
                                                   нитную проницаемость значи-
                                                   тельно больше, чем у среды. По-
                                                   этому силовые линии магнитного
                                                   поля будут концентрироваться в
                                                   ферромагнетике.
                                                        Магнитостатический экран
                                                   одинаково пригоден для защиты
                                                   от внешних полей и для локали-
                                                   зации поля источника.




                   Рис.5.7.
      Чем больше μ у экрана, тем тоньше могут быть стенки. Для повышения эффектив-
ности делают двух- и трехслойные экраны. При равной массе эффективнее не толстый эк-
ран, а несколько тонких с возможно большими расстояниями (зазорами) между ними.
      В конструкции экрана нужно избегать стыков и швов с большим магнитным со-
противлением.
      Крепление экранируемого элемента в экране и внешние крепления экрана должны
быть выполнены из немагнитных материалов, чтобы не создавать малых магнитных
сопротивлений в нежелательных направлениях.
      Переменное магнитное поле небольшой частоты моет подвергаться магнитостатиче-
скому экранированию, если ферромагнитный экран выполнить хорошо шихтованным.
        5.7. Магнитное экранирование (электромагнитное экранирование
                         переменного магнитного поля)
      Для экранирования переменного магнитного поля эффективность магнитостати-
ческого экрана (ферромагнитного экрана) с повышением f уменьшается, так как пло-
хая электропроводность магнитных материалов (особенно на переменном токе) не по-
зволяет в достаточной степени компенсировать помехонесущее магнитное поле
встречным полем от индуктивных вихревых токов. Кроме того, уменьшение глубины
проникновения поля на повышенных частотах снижает требования к толщине экрана.
Поэтому на частотах, выше звуковых (выше 20....50 кГц) применяются экраны из хо-
роших проводников Си, Аl толщиной от 1....2 мм.
      В таком экране переменный магнитный поток наводит переменный ток вихревого
типа. Экран ведет себя как закороченный виток трансформатора. Магнитное поле, об-
разуемое этим током, сдвинуто по фазе относительно поля источника на ∼180°, т.е. на-
правлено на встречу ему. Получается частичная компенсация поля ИП. Чем ближе к
180°, тем лучше компенсация. Это достигается хорошей проводимостью и достаточной
толщиной стенок проводника. Для принятой f толщина стенок не должна быть меньше
глубины проникновения ЭМ-волны.