Электромагнитная совместимость устройств систем управления (в информационной системе МИРЭА-МГДД(Ю)Т). Лотоцкий В.Л. - 48 стр.

UptoLike

Составители: 

48
12.1. Мостовая схема выпрямления
Рис.12.1.
Емкость фильтра C
ф
не в состоянии погасить помеху в силу низких частотных
свойств электролитического конденсатора. Нужно включить непосредственно на вход-
ную диагональ выпрямительного моста помехоподавляющий конденсатор
C
П
.
12.2. Импульсный стабилизатор напряжения (ИСН)
Рис.12.2.
Принцип действия ИСН заключается в накапливании энергии в магнитном поле
дросселя
L
др
при включенном состоянии транзистора Т и расходовании ее при выклю-
ченном транзисторе через блокирующий диод
Д. Ток в нагрузку поступает непрерывно.
Образование в ИСН помех связано с ключевым принципом его работы, что с одной сто-
роны связано с образованием пульсации преобразованного напряжения, а с другой стороны -
определяется сквозными токами, протекающими через блокирующий диод в моменты восста-
новления его запирающих свойств. Вторая причина является более важной при
образовании
мощных ВЧ-помех, для подавления которых используются следующие методы:
1) применение импульсного блокирующего диода с повышенными частотными
свойствами;
2) установка помехоподавляющего конденсатора параллельно блокирующему
диоду;
3) включение токоограничивающего дросселя последовательно с электролитиче-
ским конденсатором входного фильтра, но ни в коем случае не в силовую сеть;
                                          48

                        12.1. Мостовая схема выпрямления




                                      Рис.12.1.
     Емкость фильтра Cф не в состоянии погасить помеху в силу низких частотных
свойств электролитического конденсатора. Нужно включить непосредственно на вход-
ную диагональ выпрямительного моста помехоподавляющий конденсатор CП.
                12.2. Импульсный стабилизатор напряжения (ИСН)




                                      Рис.12.2.
     Принцип действия ИСН заключается в накапливании энергии в магнитном поле
дросселя Lдр при включенном состоянии транзистора Т и расходовании ее при выклю-
ченном транзисторе через блокирующий диод Д. Ток в нагрузку поступает непрерывно.
     Образование в ИСН помех связано с ключевым принципом его работы, что с одной сто-
роны связано с образованием пульсации преобразованного напряжения, а с другой стороны -
определяется сквозными токами, протекающими через блокирующий диод в моменты восста-
новления его запирающих свойств. Вторая причина является более важной при образовании
мощных ВЧ-помех, для подавления которых используются следующие методы:
     1) применение импульсного блокирующего диода с повышенными частотными
свойствами;
     2) установка помехоподавляющего конденсатора параллельно блокирующему
диоду;
     3) включение токоограничивающего дросселя последовательно с электролитиче-
ским конденсатором входного фильтра, но ни в коем случае не в силовую сеть;