Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

25
ряжается положительно относительно n-области. Возникшая таким обра-
зом разность потенциалов φ уменьшает потенциальный барьер, что соот-
ветствует смещению p-n перехода в прямом направлении. Эта разность по-
тенциалов φ вызывает прямой ток дырок, который противодействует току
неосновных носителей I
f
. Если разность потенциалов на p-n переходе φ, то
инжекционный ток:
)1( −=
Т
eII
s
ϕ
ϕ
,
где I
s
– ток насыщения p-n перехода,
e
kT
T
=
ϕ
– температурный потенциал.
В результате установится динамическое равновесие между током I
f
и током инжектированных носителей J
s
0)1( =−−
Т
eII
s
f
ϕ
ϕ
.
Если подключить к выводам фотодиода источник напряжения U, то
в цепи потечет ток, величина которого определяется разностью встречных
токов через p-n переход
)1()( −−=
Т
U
s
f
eIФII
ϕ
. (*)
Уравнение (*) описывает семейство вольтамперных характеристик
фотодиода (рис. 2). Параметром семейства характеристик является вели-
чина светового потока Ф.
Рис. 2. Семейство вольтамперных характеристик фотодиода 
                                            25
ряжается положительно относительно n-области. Возникшая таким обра-
зом разность потенциалов φ уменьшает потенциальный барьер, что соот-
ветствует смещению p-n перехода в прямом направлении. Эта разность по-
тенциалов φ вызывает прямой ток дырок, который противодействует току
неосновных носителей If . Если разность потенциалов на p-n переходе φ, то
инжекционный ток:
                                           ϕ
                                           ϕТ
                              I = I s (e         − 1) ,
где Is – ток насыщения p-n перехода,
       kT
ϕT =      – температурный потенциал.
        e
       В результате установится динамическое равновесие между током If
и током инжектированных носителей Js
                                            ϕ
                                            ϕТ
                             I f − I s (e        − 1) = 0 .
       Если подключить к выводам фотодиода источник напряжения U, то
в цепи потечет ток, величина которого определяется разностью встречных
токов через p-n переход
                                                          U
                                                          ϕТ
                             I = I f (Ф) − I s (e              − 1) .
                                                                 (*)
       Уравнение (*) описывает семейство вольтамперных характеристик
фотодиода (рис. 2). Параметром семейства характеристик является вели-
чина светового потока Ф.




Рис. 2. Семейство вольтамперных характеристик фотодиода

Страницы