Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 29 стр.

UptoLike

Составители: 

29
Учитывая, что
ppp
ДL
τ
=
получим для времени релаксации в фото-
диодном режиме
2
0
)(
1
Lp
W
Z
t
p
τ
=
.
В правильно сконструированном фотодиоде ширина n-области
W<<L
p
поэтому t
0
<<τ
p
.Поэтому частотные свойства диода в фотодиодном
режиме на много лучше чем в вентильном.
3.2. Методика измерений характеристик фотодиода
При измерении характеристик фотодиода в диодном режиме макет не-
обходимо подключить к источнику постоянного тока напряжением 12В
(розетка находится на стене, не путать с розеткой сетевого напряжения!).
Категорически запрещается включать фотодиод в прямом направлении.
Регулировка напряжения, подаваемого на фотодиод, производится с по-
мощью потенциометра на макете. Находящийся на макете
вольтметр по-
зволяет измерить напряжение на фотодиоде в диодном режиме работы, а
миллиамперметрток через фотодиод в диодном и вентильном режиме.
Выводы фотодиода подключаются к макету (не путать сигнальный и зем-
ляной выводы!). Сам фотодиод закрепляется непосредственно у выходной
щели монохроматора УМ-2. Переключение режима работы фотодиода в
диодный или вентильный производится
с помощью тумблера на макете.
Там же находится ручка переменного сопротивления нагрузки в вентиль-
ном режиме, два крайних положения которой дают значения нагрузочного
сопротивления 0 и 1 кОм.
3.3. Задание
1 Снять семейство в-а характеристик фотодиода при 4-х различных све-
товых потоках.
2 Снять световую характеристику фотодиода в фотодиодном режиме при
3 3-х различных напряжениях.
4 Зарисовать световую характеристику в вентильном режиме короткого
замыкания и при сопротивлении 1 кОм.
5 Зарисовать кривые релаксации фото-Э.Д.С. в вентильном
режиме и фо-
тодиодном при различных частотах.
6 Снять спектральную характеристику фотодиода.
                                        29

      Учитывая, что Lp = Д pτ p получим для времени релаксации в фото-
диодном режиме

                                       1 W 2
                            t0 = τ p    ( ) .
                                       Z Lp

      В правильно сконструированном фотодиоде ширина n-области
W<