ВУЗ:
Составители:
процессов, как пик обратного комптоновского рассеяния, пики рентгеновского
излучения, которые образуются при выбивании γ-квантами электронов из
внутренних оболочек атомов свинца защиты или при многократном рассеянии в
ней γ-квантов. Все эти пики малоинтенсивны и положение их определяется с
небольшой точностью. Наиболее интенсивен из них пик С, соответствующий
обратному рассеянию. Этот пик образуется при комптоновском рассеянии γ-
кванта на 180
о
в веществе защиты источника и детектора и затем поглощенного
сцинтиллятором NaI, который и выдает соответствующий фотопик.
Учебный Лабораторный Комплекс. Эффект Комптона (УЛК ЭК)
1. Приборная часть
На рис.5 представлена фотография установки, которая выполнена в виде
корпуса, имеющего прозрачную крышку.
Рис. 5. Внешний вид установки «Эффект Комптона»
Установка выполнена в виде корпуса, имеющего прозрачную крышку.
Под крышкой видны основные узлы установки:
1. Источник
γ
-квантов. На боковой поверхности его имеется светодиод,
фиксирующий «включение» источника, что соответствует выведению ампулы с
радиоактивным веществом на уровень коллимационного отверстия свинцового
контейнера. «Включение» источника осуществляется кнопкой «источник» на
передней панели корпуса прибора.2. Рассеиватель. На специальной подвижной
подставке установлен рассеиватель. Рычажком его можно убрать из-под пучка
γ-квантов.
3. Детектор
γ
-квантов. Как ранее указывалось, детектор представляет собой
сцинтилляционный γ-спектрометр. Здесь представлена его модель.
Специальным маховичком детектор может передвигаться, обеспечивая
измерения под углами от 0
о
до 90
о
. Включение детектора производится кнопкой
«ФЭУ» на передней панели корпуса прибора.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
