Математическое моделирование в микроэлектронике. Ч.1. Лукьяненко Е.Б. - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

19
Для уровня LEVEL=4 используется модель BSIM1 – короткоканальная
модель МОП-транзистора. По сравнению с моделью первого уровня
учитываются следующие эффекты:
· зависимость подвижности носителей от вертикального поля;
· насыщение скорости носителей;
· зависимость порогового напряжения от напряжения стока;
· распределение заряда обедненной области между стоком и истоком;
· неоднородное легирование для транзисторов, изготовленных с применением
ионной имплантации;
· модуляция длины канала;
· подпороговая проводимость;
· зависимость всех параметров от геометрии транзистора.
Модели LEVEL=5 и LEVEL=6 (BSIM3) более точно описывают
субмикронные МОП-транзисторы и непрерывно модифицируются.
СОЗДАНИЕ МАКРОМОДЕЛЕЙ
Часто повторяющиеся фрагмены схем удобно оформлять в виде
макромоеделей. Описание макромодели начинается директивой .SUBCKT и
заканчивается директивой .ENDS. Между ними размещается описание схемы
макромодели. Пример:
.SUBCKT <имя макромодели> <список узлов>
{описание компонентов}
.ENDS
В этом описании имя макромодели выбирается произвольно. Список
узлов относится к внешним выводам макромодели и состоит из
последовательности цифр 1 2 3 4 и так далее, в зависимости от количества
выводов макромодели. Эти цифры показывают порядок следования выводов
при вызове и текстовом описании макромодели. Внутренние узлы нумеруются
более старшими цифрами. Не допускается использования в описании
макромодели номера узла 0 (земля) и глобального имени земли GND.
Вызов макромодели осуществляется предложением:
X
xxx
<список узлов> <имя макромодели>
Например, вызов макромодели операционного усилителя К544УД2:
X1 1 2 3 4 5 К544УД2
В программе PSpice имеются встроенные модели операционных
усилителей и компараторов напряжения. Параметры этих моделей
рассчитываются программой Parts по их паспортным данным.

Страницы