Электротехнологические установки. Магазинник Л.Т - 46 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

3. Какая конструкция преобразователя наиболее целесообразна и почему: с
подводом напряжения питания промышленной частоты к статору и подключе-
нием нагрузки к обмоткам ротора или наоборот?
4. Зачем стремятся уменьшить зазор между индуктором и нагреваемым метал-
лом?
5. Для каких технологических операций применяют высокочастотный нагрев?
6. Почему при поверхностной индукционной закалке в отличие от пламенной
не происходит перегрев поверхностного слоя металлической заготовки?
7. Понятие коэффициента поглощения мощности. Что он показывает?
8. Назначение конденсаторной батареи в индукционных установках. Как прак-
тически подобрать необходимую мощность и емкость конденсаторов?
9. Когда частота тока будет выше: при сквозном нагреве или закалке заготовок
одинаковых размеров? Почему?
10. Определить число полюсов асинхронной машины с фазным ротором, вхо-
дящей в состав преобразователи частоты ИЭ-940.
Лабораторная работа №5
СНЯТИЕ ВОЛЬТ–АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК СИЛОВЫХ
КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ
Цели работы:
1. Закрепить знания по теме «Источники питания электролизных установок».
2. Изучить конструкции и ознакомиться с классификацией силовых полупро-
водниковых диодов.
3. Снять и проанализировать вольт–амперные характеристики силовых крем-
ниевых диодов при различной температуре р-n – перехода.
Краткие теоретические сведения
В настоящее время для питания промышленных электролизных устано-
вок широко применяют полупроводниковые выпрямители, так как они наиболее
долговечны, надежны, просты в обслуживании, обладают высоким КПД, бес-
шумны и не имеют токсичных выделений. Такие мощные выпрямители преоб-
разовательных подстанций для питания электролизных установок собираются
из силовых кремниевых диодов, имеющих наиболее высокие параметры по
прямому току, обратному напряжению и КПД по сравнению с германиевыми,
селеновыми и другими полупроводниковыми диодами.
Выпрямительные свойства силового кремниевого диода (как и любого
полупроводникового диода) определяются наличием электронно–дырочного
перехода р-n – перехода), образующегося в полупроводниковом кристалле,
имеющем (при введении соответствующих примесей) две области: одну с

Страницы