ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
обеспечения высокого качества экранирования в этом случае тесно соприкасается с задачей согласования неоднородностей с
основной линией передачи, так как наличие излучающего отверстия приводит к перераспределению токов и полей в линии,
т.е. к согласованному режиму передачи.
При подготовке необходимо также чётко знать определения параметров, по которым оцениваются качество
экранирования
K
э
(на СВЧ им пренебрегают, так как он учитывает проникновение поля помехи через толщину стенок
экрана), коэффициент неоднородностей
п
н
0
Е
K
Е
=
, (4.1)
учитывающий отношение амплитуды поля помехи
Е
п
, проникающего через отверстия, к амплитуде внешнего
помехонесущего поля
Е
0
. Зная
K
н
, можно найти величину полного экранного затухания
э
э
1
20lg
A
K
=
. (4.2)
Необходимо помнить, что теоретические расчёты коэффициентов неоднородности носят ориентировочный характер,
так как их значение зависит от многих конструктивных и технологических факторов: формы, размеров, ориентации и числа
щелей и отверстий, материала и технологии изготовления экрана и т.п. Существенное значение при этом имеют вид
поляризации и тип волны экранируемого поля.
Только для простых типов отверстий расчёты можно провести с удовлетворительной точностью. В основном, качество
экранирования оценивается экспериментально.
Показано, в частности, что при тонком металлическом экране прорезано
М
узких параллельных прямоугольных щелей
длиной λ/2 (рис. 4.1) и на экран падает нормально к его поверхности плоская линейно поляризованная волна, то
коэффициент неоднородностей и экранное затухание
А
э
можно оценить по формулам:
н н
н
'э
э
э
;
0,13 cos ;
7,7
20lg ,
cos
K М K
K
R
R
A
M
′
=
λ
= θ
=
λ θ
(4.3)
где
R
э
– размер экрана в направлении волны; θ – угол между нормалью к широкой стороне щели и плоскостью поляризации
поля.
Из формул (4.2) и (4.3) видно, что экранное затухание будет велико для щелей, ориентированных параллельно вектору
E
поля помехи, т.е. прорезанных вдоль линии поверхности токов на стенках экрана.
Для системы
М
круглых отверстий в экране, радиусы много меньше длины волны λ. Для тех же условий выражение
(4.2) примет вид (обозначения см. на рис. 4.1):
н н
3
0
н
э
3
э
0
;
2
;
3
4,7
20lg .
э
К М K
r
К
R
R
А
M r
′′
=
′′
=
π
=
(4.4)
Видно, что чем меньше радиус отверстий
r
0
, тем лучше экранирующий эффект.
Рис. 4.2
4.1. Описание лабораторной установки
Для исследования влияния разных неоднородностей экранов на характеристики экранирования в лабораторной работе
используется установка, собранная по схеме рис. 4.2. Она состоит из генератора, развязывающего аттенюатора, передающего
и приёмного рупоров, короткозамыкателя и индикаторного прибора.
4.2. Порядок выполнения работы
Рис. 4.1
