Устройства сверхвысоких частот. Малков Н.А - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 1.6. Структура электромагнитного поля
в микрополосковой линии (в поперечном сечении)
Структура электромагнитного поля в несимметричной полосковой линии при распространении в ней Т-волны показана
на рис. 1.6. Напряжённость электрического поля достигает максимального значения у края плоскости – при
∞→→ Ex 0
, что
объясняется увеличением концентрации зарядов в местах с повышенной кривизной поверхности. Напряжённость электриче-
ского поля на внешней поверхности плоскости
(
)
Ehy 0+>
уменьшается при удалении от края плоскости, стремясь к нулю,
а на внутренней поверхности плоскости
(
)
Ehy 0−=
она стремится к напряжённости в плоском конденсаторе
hUE =
0
.
Вблизи экрана
E
изменяется от 0 (на большом расстоянии от плоскости) до
0
E
.
Потери энергии в МПЛ характеризуются коэффициентом затухания электромагнитной волны. Коэффициент затухания
обратно пропорционален расстоянию, которое должна пройти волна вдоль регулярной линии, чтобы её амплитуда уменьши-
лась в
e
раз, что соответствует Неперу (I He = 8,686 дБ). Коэффициент затухания в МПЛ (дБ/м) для случая относительно не-
больших потерь:
мд
α+α=α
, (1.36)
где
д
α
– затухание в диэлектрике;
м
α
– затухание в полоске проводника.
Затухание, обусловленное потерями в диэлектрике, может быть определено из выражения:
эфэфд
)tg(91 δε=α f
, (1.37)
где
( )
1
эф
эф
)1(
1
1tgtg
−
+ε
−
−δ=δ
A
A
;
W
h
A 101+=
;
]/101(2[
)1(2/)1(
эф
wh+
−ε++ε
=ε
.
Затухание в децибелах, обусловленное потерями в полоске проводника, может быть определено с помощью следующих
приближённых формул:
+
π
′
π
+≈α
W
t
t
W
W
h
prsh
4
ln0114,0
м
, при
tWW 2+=
′
; (1.38)
16,0≤
h
W
;
216,0при0114,0
1м
≤<≈α
h
W
rslh
;
X
/
h
Е
Н
1 1,5 2

Страницы