ВУЗ:
Составители:
Рис 3.6. Пространственное распределение потока ионов He
+
с энергией 1.8 МэВ в
кристалле GaAs:
Поток, состоящий из 10000 ионов, равномерно падает на кристалл вдоль
кристаллографической оси <100>; далее приведены результаты для следующих глубин
(слева направо): 23, 51, 96, 125, 170, 232, 294, 340, 396, 453, 668 нм.
Первый максимум сжатия к центру находиться на глубине около 50 нм. Затем ионы
впоследствии инерционности опять распределяются почти по всей площади канала, только
рядом с атомами наблюдаются обедненные зоны. Такой процесс имеет осциллирующий
характер на небольшом расстоянии от поверхности кристалла. Затем осцилляции потока
сглаживаются, и на большой глубине поток распределяется по всей возможной площади
канала, что говорит о наступлении статистического равновесия в глубине кристалла. На
протяжении исследуемой глубины наблюдаются «узоры», состоящие из фракций частиц,
фазовые координаты которых находятся в определенных областях. Предполагается, что
такие «узоры» будут исчезать с увеличением температуры кристалла.
Данная программа носит демонстрационный характер, в ней не учитывается
температурная раскачка атомов, деканалирование, рассеяние на электронах и потери
энергии ионов. Нет возможности задать начальный угол влета, отличный от нуля, что
позволило бы исследовать ориентационные эффекты. Также программа не позволяет
53
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 51
- 52
- 53
- 54
- 55
- …
- следующая ›
- последняя »
