Операционные усилители. Мамий А.Р - 125 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АГУ | Майкоп

Составители: 

Рубрика: 

4.
124
ГЛАВА 4
ЛОГАРИФМИЧЕСКИЕ СХЕМЫ
Логарифмические и антилогарифмические схемы использу-
ются для выполнения аналогового умножения и деления, сжа-
тия (компрессии) сигнала и отыскания значений логарифмов и
показательных функций.
4.1. СХЕМА ЛОГАРИФМИЧЕСКОГО
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
Для получения логарифмической характеристики усилителя
необходимо устройство с логарифмической характеристикой
включить в цепь обратной связи. Устройством, обладающим
такой характеристикой, является полупроводниковый р-n- пе-
реход. Известно, что ток через полупроводниковый диод равен:
,1
0
−=
e
kT
qU
D
II ,
где I
0
– ток утечки при небольшом обратном смещении (тепло-
вой ток, возникающий вследствие тепловой генерации пар
электрон-дырка); q – заряд электрона (16 10
19
, ⋅
−
Кл); U – на-
пряжение на диоде; k – постоянная Больцмана (1 38 10
23
, ⋅
−
Дж/К);
Т – абсолютная температура в кельвинах.
Аналогично можно записать выражение для коллекторного
тока транзистора с общей базой:
II
K
qU
kT
e
≈ ,
где U – напряжение эмиттер-база; I – ток перехода эмиттер-
база при небольшом обратном смещении и закороченных выво-
дах коллектора и базы.
Выражения, определяющие ток диода и коллекторный ток
транзистора, совершенно одинаковы, поэтому все, что приме-
                   Глава 4. Логарифмические схемы

                            ГЛАВА 4

               ЛОГАРИФМИЧЕСКИЕ СХЕМЫ

  Логарифмические и антилогарифмические схемы использу-
ются для выполнения аналогового умножения и деления, сжа-
тия (компрессии) сигнала и отыскания значений логарифмов и
показательных функций.

            4.1. СХЕМА ЛОГАРИФМИЧЕСКОГО
                   ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

   Для получения логарифмической характеристики усилителя
необходимо устройство с логарифмической характеристикой
включить в цепь обратной связи. Устройством, обладающим
такой характеристикой, является полупроводниковый р-n- пе-
реход. Известно, что ток через полупроводниковый диод равен:
                                   qUЂ 
                         I D =I 0  e kT −1, ,
                                          
где I0 – ток утечки при небольшом обратном смещении (тепло-
вой ток, возникающий вследствие тепловой генерации пар
электрон-дырка); q – заряд электрона ( 1,6 ⋅10−19 Кл); UД – на-
пряжение на диоде; k – постоянная Больцмана (1,38 ⋅10−23 Дж/К);
Т – абсолютная температура в кельвинах.
   Аналогично можно записать выражение для коллекторного
тока транзистора с общей базой:
                                        qU БЭ
                          I K ≈I ЭО e    kT     ,
где UБЭ – напряжение эмиттер-база; IЭО – ток перехода эмиттер-
база при небольшом обратном смещении и закороченных выво-
дах коллектора и базы.
   Выражения, определяющие ток диода и коллекторный ток
транзистора, совершенно одинаковы, поэтому все, что приме-
124

Страницы