ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4.
129
го сопротивления эмиттера по переменному току (
26мВ
I
) – ока-
зывается слишком малой. Эта ситуация возникает даже при
средних эмиттерных токах. (При эмиттерном токе, равном 1мА,
r =26Ом, а при эмиттерном токе, равном 0,1мА, r =260 Ом).
R выбирается так, чтобы обеспечить и необходимый ток на-
грузки, и максимальный эмиттерный ток:
R
U
II
=
+
..
.max
Если максимальное выходное напряжение U
.max
операци-
онного усилителя в примере равно 14В, а ток нагрузки I =1мА,
то R =12,7кОм. Для повышения устойчивости схемы подклю-
чают, если это необходимо, конденсатор С . Обычно С
≈100пФ.
Для построения схем логарифмических усилителей предпочти-
тельны операционные усилители со входом на полевых транзи-
сторах, поскольку они имеют меньшие токи смещения.
4.2. УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ
ЛОГАРИФМИЧЕСКИЕ СХЕМЫ
Одна из схем, обеспечивающая получение высокоточного
логарифмического преобразования, приведена на рис. 4.4. При
построении схемы используется тот факт, что:
()
U
kT
q
II
K
=−ln ln
0
,
где I
0
– ток насыщения перехода эмиттер-база I . Разность на-
пряжений эмиттер-база дифференциальной пары транзисторов
Т
1
и Т
2
равно:
()()() ()
UU
kT
q
II
kT
q
II
kT
q
I
kT
q
I
kT
q
I
I
KK KK
K
K
12 10 20 1 2
1
2
−= −− −= − =ln ln ln ln ln ln ln
Глава 4. Логарифмические схемы
26мВ
го сопротивления эмиттера по переменному току ( ) – ока-
IЭ
зывается слишком малой. Эта ситуация возникает даже при
средних эмиттерных токах. (При эмиттерном токе, равном 1мА,
rЭ =26Ом, а при эмиттерном токе, равном 0,1мА, rЭ =260 Ом).
RЭ выбирается так, чтобы обеспечить и необходимый ток на-
грузки, и максимальный эмиттерный ток:
U вых .оу .
RЭ =
I Э .max +I н
Если максимальное выходное напряжение Uвых.max операци-
онного усилителя в примере равно 14В, а ток нагрузки Iн=1мА,
то RЭ=12,7кОм. Для повышения устойчивости схемы подклю-
чают, если это необходимо, конденсатор Ск. Обычно Ск ≈100пФ.
Для построения схем логарифмических усилителей предпочти-
тельны операционные усилители со входом на полевых транзи-
сторах, поскольку они имеют меньшие токи смещения.
4.2. УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ
ЛОГАРИФМИЧЕСКИЕ СХЕМЫ
Одна из схем, обеспечивающая получение высокоточного
логарифмического преобразования, приведена на рис. 4.4. При
построении схемы используется тот факт, что:
U БЭ = (lnI K −lnI 0 ) ,
kT
q
где I0 – ток насыщения перехода эмиттер-база IЭО. Разность на-
пряжений эмиттер-база дифференциальной пары транзисторов
Т1 и Т2 равно:
U БЭ1 −U БЭ2 =
kT
q
(lnI K1 −lnI 0 ) −kTq (lnI K2 −lnI 0 ) = kTq (lnI K1 ) −kTq (lnI K2 ) = kTq ln II K1
K2
129
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 128
- 129
- 130
- 131
- 132
- …
- следующая ›
- последняя »
