Практическое руководство к лабораторным работам по физической и коллоидной химии для студентов геологического факультета. Манапова Л.З - 26 стр.

UptoLike

26
Кривые охлаждения следует расположить так, чтобы их начальные точки
отстояли друг от друга на расстоянии в 1 см и кривые охлаждения не
пересекались (рис. 8).
6. Температуры начала и конца кристаллизации расплава (могут быть
одинаковыми) внести в таблицы 5 и 6.
а) б)
Рис .8. Кривые охлаждения (а) и диаграмма плавкости бинарной системы (б).
7. После этого на кривых охлаждения отметить точки, отвечающие
кристаллизации смеси. Это будут горизонтальные или слегка наклонные
площадки для процессов кристаллизации чистых веществ или эвтектики и
перегибы на кривой в случае кристаллизации других смесей.
8. По полученным данным построить диаграмму состояния системы. По
оси абсцисс откладывают состав, по оси ординаттемпературу начала
кристаллизации (рис. 8б).
Кривые охлаждения следует расположить так, чтобы их начальные точки
отстояли друг от друга на расстоянии в 1 см и кривые охлаждения не
пересекались (рис. 8).
6. Температуры начала и конца кристаллизации расплава (могут быть
одинаковыми) внести в таблицы 5 и 6.




                  а)                             б)

    Рис .8. Кривые охлаждения (а) и диаграмма плавкости бинарной системы (б).
    7. После этого на кривых охлаждения отметить точки, отвечающие
кристаллизации смеси. Это будут горизонтальные или слегка наклонные
площадки для процессов кристаллизации чистых веществ или эвтектики и
перегибы на кривой в случае кристаллизации других смесей.
    8. По полученным данным построить диаграмму состояния системы. По
оси абсцисс откладывают состав, по оси ординат – температуру начала
кристаллизации (рис. 8б).




                                       26