ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
26
Кривые охлаждения следует расположить так, чтобы их начальные точки
отстояли друг от друга на расстоянии в 1 см и кривые охлаждения не
пересекались (рис. 8).
6. Температуры начала и конца кристаллизации расплава (могут быть
одинаковыми) внести в таблицы 5 и 6.
а) б)
Рис .8. Кривые охлаждения (а) и диаграмма плавкости бинарной системы (б).
7. После этого на кривых охлаждения отметить точки, отвечающие
кристаллизации смеси. Это будут горизонтальные или слегка наклонные
площадки для процессов кристаллизации чистых веществ или эвтектики и
перегибы на кривой в случае кристаллизации других смесей.
8. По полученным данным построить диаграмму состояния системы. По
оси абсцисс откладывают состав, по оси ординат – температуру начала
кристаллизации (рис. 8б).
Кривые охлаждения следует расположить так, чтобы их начальные точки отстояли друг от друга на расстоянии в 1 см и кривые охлаждения не пересекались (рис. 8). 6. Температуры начала и конца кристаллизации расплава (могут быть одинаковыми) внести в таблицы 5 и 6. а) б) Рис .8. Кривые охлаждения (а) и диаграмма плавкости бинарной системы (б). 7. После этого на кривых охлаждения отметить точки, отвечающие кристаллизации смеси. Это будут горизонтальные или слегка наклонные площадки для процессов кристаллизации чистых веществ или эвтектики и перегибы на кривой в случае кристаллизации других смесей. 8. По полученным данным построить диаграмму состояния системы. По оси абсцисс откладывают состав, по оси ординат – температуру начала кристаллизации (рис. 8б). 26
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »