Элементы вычислительной техники. Марков Б.Г. - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГСПУ | Волгоград

Составители: 

Рубрика: 

13
подан 0, будет открыт, а диод, связанный своим катодом с 1, будет
закрыт. На выходе – уровень логического 0.
Для 4 строчки таблицы истинности могут быть рассмотрены 2
случая: 1) Входные напряжения ≤ Eп и 2) Входные напряжения > Еп.
В первом случае оба диода открыты и напряжение на выходе
определяется суммой входного напряжения и напряжения на
открытом
диоде, а во втором равно Еп или определяется по формуле
U
ВЫХ
= Е
П
⋅
R
Н
/ (R + R
H
), где R
H
– сопротивление, подключенное к
выходу схемы и являющееся ее нагрузкой. Если R
H
отсутствует, т.е.
оно равно бесконечности, то получаем U
ВЫХ
= Е
П
. В любом случае на
выходе схемы (Y) будет уровень логической единицы. Итак, все
строчки рассмотрены – схема выполняет логическую функцию И.
Для реализации элемента НЕ используется схема транзисторного
ключа (рис. 4). Транзистор может находиться в одном из двух
стационарных состояний – включен или выключен. Если транзистор
выключен, то токи базы и коллектора транзистора
равны 0. Входное
напряжение никак не воздействует на выход. Напряжение на выходе
определяется только напряжением источника питания Еп и
рассчитывается аналогично схеме элемента И при закрытых диодах.
Если сопротивление нагрузки отсутствует, то U
ВЫХ
= Е
П
. Выключенное
состояние транзистора обеспечивается входным напряжением
меньшим напряжения открытия эмиттерного p-n перехода
транзистора (0,7 В). Таким образом, при напряжении на входе,
соответствующем уровню логического 0, на выходе уровень
логической 1. Чтобы открыть транзистор на вход схемы необходимо
подать напряжение уровня логической 1 и ввести транзистор в режим
насыщения. В режиме насыщения напряжение на участке
коллектор
– эмиттер близко к 0 (~0,1 В). Ток коллектора насыщения
определяется из 2 закона Кирхгофа для цепи коллектора: E
П
= I
К
⋅
R
К
+ U
КЭ
. Пренебрегая малым значением U
КЭ
при насыщении 
                                                               13
подан 0, будет открыт, а диод, связанный своим катодом с 1, будет
закрыт. На выходе – уровень логического 0.
    Для 4 строчки таблицы истинности могут быть рассмотрены 2
случая: 1) Входные напряжения ≤ Eп и 2) Входные напряжения > Еп.
В первом случае оба диода открыты и напряжение на выходе
определяется суммой входного напряжения и напряжения на
открытом диоде, а во втором равно Еп или определяется по формуле
UВЫХ = ЕП ⋅ RН / (R + RH), где RH – сопротивление, подключенное к
выходу схемы и являющееся ее нагрузкой. Если RH отсутствует, т.е.
оно равно бесконечности, то получаем UВЫХ = ЕП. В любом случае на
выходе схемы (Y) будет уровень логической единицы. Итак, все
строчки рассмотрены – схема выполняет логическую функцию И.
    Для реализации элемента НЕ используется схема транзисторного
ключа (рис. 4). Транзистор может находиться в одном из двух
стационарных состояний – включен или выключен. Если транзистор
выключен, то токи базы и коллектора транзистора равны 0. Входное
напряжение никак не воздействует на выход. Напряжение на выходе
определяется    только     напряжением    источника     питания     Еп   и
рассчитывается аналогично схеме элемента И при закрытых диодах.
Если сопротивление нагрузки отсутствует, то UВЫХ = ЕП. Выключенное
состояние    транзистора    обеспечивается     входным        напряжением
меньшим     напряжения      открытия     эмиттерного     p-n     перехода
транзистора (0,7 В). Таким образом, при напряжении на входе,
соответствующем    уровню     логического    0,   на    выходе    уровень
логической 1. Чтобы открыть транзистор на вход схемы необходимо
подать напряжение уровня логической 1 и ввести транзистор в режим
насыщения. В режиме насыщения напряжение на участке коллектор
– эмиттер близко к 0 (~0,1 В). Ток коллектора насыщения
определяется из 2 закона Кирхгофа для цепи коллектора: EП = IК ⋅ RК
+   UКЭ.   Пренебрегая     малым   значением      UКЭ   при    насыщении

Страницы