Исследование биполярных структур. Медведев С.П - 10 стр.

                                                                       случаях вы работаете только с результатами измерений.

                                                                         Все управление лабораторной работой осуществляется с
                                                                       помощью ЭВМ. Управляют работой при помощи команд, ко-
                                                                       торые можно вводить либо из меню, либо кнопками панели
                                                                       управления. На рис. 9 показано главное окно приложения.



           Рис. 6. Идеальные статические характеристики транзистора:
                          а — входные; б — выходные

    Выходные характеристики — это обратные ветви ВАХ
диода, ток насыщения которого зависит от тока базы. Вход-
ной ток Iб в принципе может иметь не только положительную,
но и небольшую отрицательную величину. Зависимость вы-
ходного тока коллектора от Iб обычно описывается следую-
щим образом:
                               I к = βI б + I к* 0
     Коэффициент при токе Iб называется коэффициентом пе-
редачи базового тока. Довольно часто его называют также
просто коэффициентом усиления транзистора. Обычно β >>1.
Ток I к* 0 — нулевой ток коллектора в схеме, т. е. ток при обор-
ванной базе. Следует отметить, что режим работы транзисто-
                                                                                          Рис. 9. Главное окно приложения
ра с оборванной базой очень опасен из-за возможности про-
                                                                          Команды меню
боя, поэтому непосредственно ток I к* 0 не измеряют. Мини-
                                                                          Измерения
мально возможный ток коллектора будет получаться при о т -                     База данных – активизировать или спрятать окно ба-
р и ц а т е л ь н о м токе базы.                                       зы данных;
   Структура интегральных транзисторов и диодов                                Осциллограф – активизировать или спрятать окно ос-
    Основные отличия микроэлектронных приборов от их                   циллографа – основного инструмента лабораторной работы;
дискретных аналогов можно свести к двум моментам. Во-                          Температурная зависимость – исследование темпе-
первых, формирование слоев структур приборов производит-               ратурных зависимостей различных характеристик, для этого
ся с одной стороны кристалла, поэтому подавляющее боль-                сначала выставляется необходимый режим измерения в ос-
шинство транзисторов микросхем д р е й ф о в ы е . Во-вторых,          циллографе, далее включается термостат; в базе данных из-
на одном кристалле располагаются множество приборов, ко-               мерения можно сохранять в виде серии, т.е. появится возмож-
торые должны быть изолированы друг от друга, поэтому воз-              ность просмотреть как отдельные измерения, так и все в од-
никают паразитные структуры за счет элементов изоляции.                ной системе координат (рис. 10).
                                      10                                                               15