Основы конденсаторостроения. Меркулов В.И. - 118 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

ЭИКТ ЭЛТИ
118
Принципиальная схема устройства твердого электролитического конден-
сатора представлена на рис.3.33, а конструктивное исполнение на рис.
3.34.
По предположению Тэйлора и Хэринга, разработавших данный тип кон-
денсатора, между слоями окиси тантала и окиси марганца, представляющего
собой электронный полупроводник, имеется тонкий переходный слой кисло-
рода (дырочный полупроводник), образованный за счет восстановления оки-
си
марганца. На границе между полупроводящими слоями с электронной и
дырочной проводимостью возникает запорный слой с повышенным сопро-
тивлением, как в полупроводниковых диодах.
Если на тантал подан положительный потенциал, то «дырки» – носители
положительного заряда в кислородном слое – движутся к запорному слою и
нейтрализуют электроны как носителей отрицательного заряда в слое окиси
марганца, которые подходят к запорному слою со стороны слоя MnO
2
. За счет
этого запорный слой расширяется и его сопротивление возрастает, обеспечи-
вая резкое снижение тока утечки. Если на тантал подан отрицательный по-
тенциал, то запорный слой сужается, сопротивление его уменьшается и ток
через запорный слой возрастает, т.е. он перестает работать как конденсатор.
Особенностью оксидно-полупроводниковых конденсаторов является не-
изменность
их угла потерь в области низких температур и малое снижение
емкости при охлаждении, а также их стабильность в частотном ходе.
Рис.3.33. Принципиальная схе-
ма твердого танталового элек-
тролитического конденсатора
Рис.3.34. Танталовый электролитиче-
ский конденсатор с объемно-пористым
анодом:
1- отвод, 2 – крышка, 3 – анод, 5 – уплот-
нение, 6 – изоляционная прокладка, 7 –
металлический корпус

Страницы