Синхротронное излучение в спектроскопии. Михайлин В.В. - 83 стр.

UptoLike

Составители: 

- 82 -
два и более низкоэнергетических состояния. Этот эффект
имеет двоякое значение. Во-первых, он приводит к конеч-
ному времени жизни экситонных состояний, которое про-
является в уширении линии поглощения. Для не слишком
тяжелых атомов эффект Оже является определяющим в
уширении линии поглощения. Кроме этого эффекта шири-
на линии поглощения определяется радиационным време-
нем жизни и вероятностью испускания фононов. Во-
вторых, эффект Оже является одним из определяющих эф-
фектов в релаксации электронных возбуждений, в резуль-
тате которого из одного высокоэнергетического возбужде-
ния рождается несколько возбуждений меньшей энергии.
В щелочно-галоидных кристаллах и кристаллах инерт-
ных газов (криокристаллах) валентная зона образована со-
стояниями с симметрией р-типа. Низшие состояния зоны
проводимости в основном симметрии s-типа. Поэтому на
краю поглощения наблюдаются переходы между состоя-
ниями s- и р-типа, что определяет правила отбора для этих
переходов. Для получения информации о других состояни-
ях зоны проводимости необходимо исследовать переходы
с внутренних уровней, имеющих другую симметрию. Пе-
реходы с уровней остова даже той же p-симметрии также
несут дополнительную информацию, поскольку исходные
уровни плоские. На рис. 2.7 в качестве примера приведены,
спектры поглощения галоидов натрия и лития, полученных
на синхротроне DESY [6]. Вертикальные черточки указы-
вают положение рентгеновских краев поглощения, а
стрелкиположение пиков поглощения из спектров ха-
рактеристических потерь электронов. Сложная структура
поглощения связана с экситонными переходами и перехо-
дами с уровней остова в кристаллах.
два и более низкоэнергетических состояния. Этот эффект
имеет двоякое значение. Во-первых, он приводит к конеч-
ному времени жизни экситонных состояний, которое про-
является в уширении линии поглощения. Для не слишком
тяжелых атомов эффект Оже является определяющим в
уширении линии поглощения. Кроме этого эффекта шири-
на линии поглощения определяется радиационным време-
нем жизни и вероятностью испускания фононов. Во-
вторых, эффект Оже является одним из определяющих эф-
фектов в релаксации электронных возбуждений, в резуль-
тате которого из одного высокоэнергетического возбужде-
ния рождается несколько возбуждений меньшей энергии.
   В щелочно-галоидных кристаллах и кристаллах инерт-
ных газов (криокристаллах) валентная зона образована со-
стояниями с симметрией р-типа. Низшие состояния зоны
проводимости в основном симметрии s-типа. Поэтому на
краю поглощения наблюдаются переходы между состоя-
ниями s- и р-типа, что определяет правила отбора для этих
переходов. Для получения информации о других состояни-
ях зоны проводимости необходимо исследовать переходы
с внутренних уровней, имеющих другую симметрию. Пе-
реходы с уровней остова даже той же p-симметрии также
несут дополнительную информацию, поскольку исходные
уровни плоские. На рис. 2.7 в качестве примера приведены,
спектры поглощения галоидов натрия и лития, полученных
на синхротроне DESY [6]. Вертикальные черточки указы-
вают положение рентгеновских краев поглощения, а
стрелки — положение пиков поглощения из спектров ха-
рактеристических потерь электронов. Сложная структура
поглощения связана с экситонными переходами и перехо-
дами с уровней остова в кристаллах.




                          - 82 -