Классификация и организация вычислительных систем. Михайлов Б.М - 107 стр.

UptoLike

Нанотрубка это бесшовный цилиндр, созданный из пленки,
сформированной из атомов углерода. Шестиугольные молекулы из
атомов углерода получаются из молекул СО (угарный газ) в
присутствии катализатора при высокой температуре. Следует отметить,
что нанотрубка на порядок прочнее стали и в то же время в 6 раз легче (см. рис. 3.1).
Рисунок 3.1 Модель нанотрубки BeO (белые атомы Be, черные - O)
Для производства памяти используется стандартный фотолитографический
процесс: вначале на подложку из оксида кремния наносится множество нанотрубок, а в
ходе дальнейшей обработки неправильно ориентированные трубки удаляются.
Схема памяти представляет собой две пластинки из оксида кремния, располо-
женные одна на другой на расстоянии около 100 нм. Нанотрубки как бы «подвешены»
на верхней пластинке. При подаче на нижнюю пластинку тока трубки меняют свое
положение, соединяя две пластинки. Это состояние соответствует наличию в ячейке
бита со значением 1. Если же трубка не замыкает пластин, то в ячейке находится бит со
значением 0.
Положение нанотрубки определяется влиянием сил Ван дер Ваальса, которые
действуют независимо от наличия электропитания. Электрический импульс нужен
лишь для изменения положения трубок. При этом на переключение требуется около 0,5
не против единиц наносекунд у современной оперативной памяти (подобная память
получила аббревиатуру NRAM). Плотность записи информации в ячейки NRAM
постоянно увеличивается и может достичь триллиона бит на квадратный сантиметр, что
на несколько порядков больше, чем в случае современной оперативной памяти.
Впрочем, до выхода новой памяти на рынок еще далеко. Углеродные нанотрубки
являются все еще экзотическим и дорогостоящим материалом, а производство NRAM,
хотя и базируется на традиционной фотолитографии, требует освоения в
       Нанотрубка — это бесшовный цилиндр, созданный из пленки,
сформированной из атомов углерода. Шестиугольные молекулы из
атомов     углерода     получаются       из    молекул     СО   (угарный      газ)      в
присутствии катализатора при высокой температуре. Следует отметить,
что нанотрубка на порядок прочнее стали и в то же время в 6 раз легче (см. рис. 3.1).




       Рисунок 3.1 – Модель нанотрубки BeO (белые атомы – Be, черные - O)


       Для производства памяти используется стандартный фотолитографический
процесс: вначале на подложку из оксида кремния наносится множество нанотрубок, а в
ходе дальнейшей обработки неправильно ориентированные трубки удаляются.
       Схема памяти представляет собой две пластинки из оксида кремния, располо-
женные одна на другой на расстоянии около 100 нм. Нанотрубки как бы «подвешены»
на верхней пластинке. При подаче на нижнюю пластинку тока трубки меняют свое
положение, соединяя две пластинки. Это состояние соответствует наличию в ячейке
бита со значением 1. Если же трубка не замыкает пластин, то в ячейке находится бит со
значением 0.
       Положение нанотрубки определяется влиянием сил Ван дер Ваальса, которые
действуют независимо от наличия электропитания. Электрический импульс нужен
лишь для изменения положения трубок. При этом на переключение требуется около 0,5
не против единиц наносекунд у современной оперативной памяти (подобная память
получила аббревиатуру NRAM). Плотность записи информации в ячейки NRAM
постоянно увеличивается и может достичь триллиона бит на квадратный сантиметр, что
на несколько порядков больше, чем в случае современной оперативной памяти.
       Впрочем, до выхода новой памяти на рынок еще далеко. Углеродные нанотрубки
являются все еще экзотическим и дорогостоящим материалом, а производство NRAM,
хотя   и   базируется   на   традиционной     фотолитографии,    требует   освоения     в