Физическая и коллоидная химия. Михеева Е.В - 239 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

239
На некотором расстоянии (Δ) от межфазной границы проходит
плоскость скольжения АВ. Плоскость скольжения – плоскость, по кото-
рой происходит разрыв ДЭС при наложении электрического поля. Тол-
щина слоя Δ не известна, но примерно составляет около 100 нм. Пере-
сечение кривой падения потенциала с плоскостью скольжения дает ве-
личину электрокинетического (дзета-потенциала). Следовательно, элек-
трокинетический потенциал ζ, измеряемый при электрокинетических
явлениях, является частью общего скачка потенциала φ
0
(φ
0
> ζ).
Теория строения ДЭС Штерна (1924 г.)
Современная теория строения двойного электрического слоя
Штерна объединяет две предыдущие теории. Согласно этой теории,
слой противоионов состоит из двух частей (рис.11.7).
Рис.11.7. Модель строения
ДЭС Штерна.
Одна часть противоионов нахо-
дится в непосредственной близости от
межфазной поверхности и образует
слой Гельмгольца (адсорбционный
слой), толщиной не более диаметра со-
ставляющих его гидратированных ио-
нов. Адсорбционный слой формируется
в результате электростатического взаи-
модействия с потенциалопределяющи-
ми ионами и специфической адсорб-
ции. В адсорбционном слое наблюдает-
ся резкое падение электрического по-
тенциала φ
0
по прямой, согласно тео-
рии Гельмгольца-Перрена.
Другая часть противоионов нахо-
дится в диффузной части ДЭС (диф-
фузный слой Гуи), толщина которого
может быть значительной и зависит от
состава системы. В диффузной части
ДЭС потенциал уменьшается по экспо-
ненте, согласно теории Гуи-Чепмена.
Таким образом, общее падение электрического потенциала φ
0
скла-
дывается из падения адсорбционного потенциала (φ
0
- φ
d
) в плотной
части ДЭС (линия АА´) и падения потенциала диффузного слоя φ
d
– в
его диффузионной части.

Страницы