ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
62
(зона 3, рис.1б ). Так как система (твердое тело) в устойчивом
состоянии должна обладать минимумом потенциальной энергии, то вся эта
зона (и
все уровни энергий внутри ее) оказываются заполненными электронами.
Эта зона носит название заполненной зоны.
Для твердого тела , кроме заполненной зоны, выделяют зону уровней
возбуждения или свободную зону (зона 5, рис.1 б ), разделенную
энергетическим барьером для запрещенной зоны (зона 4, рис.1б ). В
пределах этого барьера находятся уровни энергии, на которых не могут
находиться электроны.
Зона уровней возбуждения содержит уровни со значительно более
высокими энергиями, чем уровни заполненной зоны. В этой зоне уровни
энергии расположены близко друг к другу и практически можно считать,
что электрон , попавший в эту зону, может изменять свою энергию
непрерывным образом , а следовательно, перемещаться в кристалле под
действием внешнего электрического поля.
Таким образом, при сообщении электронам заполненной зоны
дополнительной энергии, достаточной для перевода их через
энергетический барьер на уровни зоны возбуждения, твердые тела
становятся проводящими. Величина этой дополнительной энергии должна
быть, по крайней мере , равна ширине энергетического барьера .
Следует отметить, что у электронов, наиболее близко
расположенных к ядру атома, связь с ядром столь велика , что они не могут
участвовать в создании электропроводности. Лишь валентные электроны,
наиболее удаленные от ядра , обладающие также наибольшими энергиями,
могут участвовать в токе проводимости.
У металлов заполненная и свободная зоны непосредственно
примыкают друг к другу , а в некоторых случаях эти зоны взаимно
перекрываются. Поэтому электрон может перейти из первой зоны во
вторую , получив извне очень небольшую добавочную энергию .
У диэлектриков ширина энергетического барьера соответствует
энергиям 2-10 эВ и для перехода электрона из заполненной зоны в
свободную зону необходимы очень сильные электрические поля или
высокие температуры .
Идеальные полупроводники, в
материале которых нет примесей,
характеризуются наличием энергетического
барьера , наибольшая ширина которого
значительно меньше, чем у диэлектриков, и
составляет 1-1,5 эВ .
Проводимость, создаваемая в
химически чистом полупроводнике,
называется “собственной” проводимостью ,
так как является свойством химически
а )
Рис.2
б )
Е (эн ергия)
Е (эн ергия)
62 (зон а 3, рис.1б ). Т а к ка к сист ем а (т верд ое т ело) в у ст ойчивом состоян ии д олж н а об ла д а т ь м ин им у м ом пот ен циа ль н ой эн ергии, т о вся эт а зон а (и все у ровн и эн ергий вн у т ри ее) ока зыва ю т ся за полн ен н ым и элект рон а м и. Эт а зон а н осит н а зва н ие за полн ен н ой зон ы. Д ля т верд ого т ела , кром е за полн ен н ой зон ы, выд еляю т зон у у ровн ей возб у ж д ен ия или своб од н у ю зон у (зон а 5, рис.1 б ), ра зд елен н у ю эн ергет ическим б а рь ером д ля за прещ ен н ой зон ы (зон а 4, рис.1б ). В пред ела х эт ого б а рь ера н а х од ятся у ровн и эн ергии, н а кот орых н е м огу т н а х од ит ь ся элект рон ы. Зон а у ровн ей возб у ж д ен ия сод ерж ит у ровн и со зн а читель н о б олее высоким и эн ергиям и, чем у ровн и за полн ен н ой зон ы. В этой зон е у ровн и эн ергии ра сполож ен ы б лизко д ру г к д ру гу и пра кт ически м ож н о счит а т ь , чт о элект рон , попа вший в эт у зон у , м ож ет изм ен ят ь свою эн ергию н епрерывн ым об ра зом , а след ова т ель н о, перем ещ а т ь ся в крист а лле под д ейст вием вн ешн его элект рического поля. Т а ким об ра зом , при сооб щ ен ии элект рон а м за полн ен н ой зон ы д ополн итель н ой эн ергии, д ост а точн ой д ля перевод а их через эн ергет ический б а рь ер н а у ровн и зон ы возб у ж д ен ия, тверд ые тела ст а н овят ся провод ящ им и. В еличин а этой д ополн итель н ой эн ергии д олж н а б ыт ь , по кра йн ей м ере, ра вн а ширин е эн ергетического б а рь ера . С лед у ет от м ет ить , что у элект рон ов, н а иб олее б лизко ра сполож ен н ых к яд ру а т ом а , связь с яд ром столь велика , чт о он и н е м огу т у ча ст вова т ь в созд а н ии элект ропровод н ости. Л ишь ва лен тн ые элект рон ы, н а иб олее у д а лен н ые от яд ра , об ла д а ю щ ие та кж е н а иб оль шим и эн ергиям и, м огу т у ча ст вова т ь в токе провод им ост и. У м ет а ллов за полн ен н а я и своб од н а я зон ы н епосред ст вен н о прим ыка ю т д ру г к д ру гу , а в н екоторых слу ча ях эт и зон ы вза им н о перекрыва ю т ся. Поэт ом у элект рон м ож ет перейт и из первой зон ы во вт ору ю , полу чив извн е очен ь н еб оль шу ю д об а вочн у ю эн ергию . У д иэлект риков ширин а эн ергет ического б а рь ера соот вет ст ву ет эн ергиям 2-10 эВ и д ля перех од а элект рон а из за полн ен н ой зон ы в своб од н у ю зон у н еоб х од им ы очен ь силь н ые элект рические поля или высокие тем пера т у ры. Ид еа ль н ые полу провод н ики, в м а т ериа ле которых н ет прим есей, х а ра кт еризу ю т ся н а личием эн ергет ического б а рь ера , н а иб оль ша я ширин а кот орого Е (эн ергия) Е (эн ергия) зн а чит ель н о м ен ь ше, чем у д иэлект риков, и сост а вляет 1-1,5 эВ. Провод им ост ь , созд а ва ем а я в а) б) х им ически чист ом полу провод н ике, Рис.2 н а зыва ет ся “соб ст вен н ой” провод им ост ь ю , т а к ка к являет ся свойст вом х им ически
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 60
- 61
- 62
- 63
- 64
- …
- следующая ›
- последняя »